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公开(公告)号:CN115084291A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210519181.3
申请日:2022-05-12
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种倒置型光探测器及制备方法,包括自下而上的P型衬底层、P型接触层、掺杂吸收层、本征吸收层、过渡层、N型收集层、N型接触层,其中,所述掺杂吸收层的掺杂浓度沿着自横向中心至横向边缘的方向阶梯式降低。本发明提供的倒置型光探测器及制备方法,掺杂吸收层的掺杂浓度沿着自横向中心至横向边缘的方向阶梯式降低。该横向掺杂分布使得光探测器台面边缘的耗尽区域比光敏面中心的耗尽区域长,可以实现光生载流子的同步输运,缓解了限制高速响应的问题。