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发明公开
一种InGaP/GaAs HBT双频功率放大器芯片无效

公开(公告)号：CN111682858A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010518289.1

申请日：2020-06-09

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 吴永乐 , 杨雨豪 , 王卫民 , 朱溪

IPC: H03F3/21 , H03F1/52 , H03F1/02

Abstract: 本发明实施例提供了一种InGaP/GaAs HBT双频功率放大器芯片，上述双频功率放大器芯片包括：衬底、输入端口1、输出端口2、输入匹配电路3、级间匹配电路4、双频输出匹配电路5、驱动级晶体管6以及输出级晶体管7；其中，输入端口1与输入匹配电路3的第一端连接；输入匹配电路3的第二端与驱动级晶体管6的基极连接；驱动级晶体管6的集电极与级间匹配电路4的第一端连接；级间匹配电路4的第二端与输出级晶体管7的基极连接；输出级晶体管7的集电极与双频输出匹配电路5的第一端连接；双频输出匹配电路5的第二端与输出端口2连接。本发明实施例提供的双频功率放大器芯片具备双频工作能力。

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