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公开(公告)号：CN118073458A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410173812.X
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/02 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于感性峰化实现的高速单行载流子光电探测器，属于太赫兹通信领域；具体包括：从上到下依次为P型欧姆接触层，阻挡层，吸收层和收集层；吸收层采用梯度掺杂的方式引入内建电场，吸收层浓度差带来电势差，引入高电场，加速电子通过吸收层；收集层中包括N型掺杂崖层InP和N型轻掺杂的收集层InP；由于崖层InP的存在，增强了异质结界面处的电场强度，提高了吸收层电场的同时降低收集层电场。在吸收层与阻挡层之间添加过渡层用于平滑价带；在吸收层与收集层之间设有N型过渡层InGaAsP平滑导带；在同样的外延结构基础上，分别设计了P台面直径为5μm和3μm的两种UTC‑PD；通过合理的设计UTC‑PD的外延结构，实现高渡越时间带宽，同时采用感性峰化技术补偿有源区面积大带来的高电容特性，能够在不降低响应度的前提下提高器件的3dB带宽和饱和电流，并且器件的3dB带宽达到亚太赫兹水平，可以应用于太赫兹通信系统。
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公开(公告)号：CN118074817B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410215387.6
申请日：2024-02-27
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于概率整形和RBF神经网络非线性均衡的光子太赫兹OFDM通信系统，属于太赫兹通信领域；包括发送端和接收端，发送端的ECL1和应用了概率整形技术的TX‑DSP模块同时连接IQ调制器，对产生的PS‑QAM‑OFDM基带信号，进行调制后输入到光耦合器OC，进行光波耦合，经过单模光纤后由UTC‑PD拍频得到OFDM太赫兹光信号，输入到接收端，输入到混频器中与本振信号进行混频，实现信号的下变频，得到基频OFDM太赫兹信号；然后输入到RX‑DSP模块，进行OFDM解调、相位估计、基于RBF神经网络的非线性均衡、解映射和概率解整形等操作，最终得到原始数据。本发明达到增大系统传输容量的效果，提升了误码率性能；同时缓解了光纤非线性对系统性能的影响，提高了信号质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118041259B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410173832.7
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种采用单边预嵌入电感的共射极放大器，属于射频集成电路领域；具体包括输入匹配电路，级间匹配电路，并联嵌入电感，单边预嵌入电感，三级放大电路和输出匹配电路；输入信号依次进入三个放大电路的共射管基极，由共射管逐级放大后，由并联嵌入电感和单边预嵌入电感增大增益，最后通过集电极输出；同时，针对电感电容的谐振导致放大器的窄带问题，引入级间交错调谐，从而扩展带宽。通过在各级共射管的基极和集电极之间引入并联嵌入电感，与密勒电容产生谐振，从而消除密勒电容的影响，增益Gma提升至接近最大可实现增益；通过在集电极引入单边预嵌入电感，使并联嵌入电感所需值变小，更利于传输线的实现，具有高增益的优势。放大器工作在晶体管的最大振荡频率附近，适用于太赫兹通信领域。
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公开(公告)号：CN118074817A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410215387.6
申请日：2024-02-27
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于概率整形和RBF神经网络非线性均衡的光子太赫兹OFDM通信系统，属于太赫兹通信领域；包括发送端和接收端，发送端的ECL1和应用了概率整形技术的TX‑DSP模块同时连接IQ调制器，对产生的PS‑QAM‑OFDM基带信号，进行调制后输入到光耦合器OC，进行光波耦合，经过单模光纤后由UTC‑PD拍频得到OFDM太赫兹光信号，输入到接收端，输入到混频器中与本振信号进行混频，实现信号的下变频，得到基频OFDM太赫兹信号；然后输入到RX‑DSP模块，进行OFDM解调、相位估计、基于RBF神经网络的非线性均衡、解映射和概率解整形等操作，最终得到原始数据。本发明达到增大系统传输容量的效果，提升了误码率性能；同时缓解了光纤非线性对系统性能的影响，提高了信号质量。
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公开(公告)号：CN119994504A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510169369.3
申请日：2025-02-17
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种工作在275‑296GHz的光子天线，属于光电子及太赫兹通信领域；包含两个UTC‑PD本体以及无源结构；UTC‑PD本体采用双台面结构，每个结构都通过电镀小焊盘引出电极，并在小焊盘上加工金属凸块，通过倒装键合与无源结构产生电气连接。无源结构包括阻抗匹配电路，功率合成器电路以及vivaldi天线；所述UTC‑PD本体产生信号，利用梯度掺杂的吸收层引入内建电场；吸收层和收集层之间设有崖层；然后，信号经过阻抗匹配电路输出阻抗接近50欧姆后，通过功率合成器将两个结合输出信号叠加到Vivaldi天线的馈电端，最终，转化为275‑296GHz频段的高频电磁波进行辐射。本发明产生和发射太赫兹频率范围的电磁波，实现了高带宽、高增益以及低插损的技术性能。
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公开(公告)号：CN118073458B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410173812.X
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/02 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于感性峰化实现的高速单行载流子光电探测器，属于太赫兹通信领域；具体包括：从上到下依次为P型欧姆接触层，阻挡层，吸收层和收集层；吸收层采用梯度掺杂的方式引入内建电场，吸收层浓度差带来电势差，引入高电场，加速电子通过吸收层；收集层中包括N型掺杂崖层InP和N型轻掺杂的收集层InP；由于崖层InP的存在，增强了异质结界面处的电场强度，提高了吸收层电场的同时降低收集层电场。在吸收层与阻挡层之间添加过渡层用于平滑价带；在吸收层与收集层之间设有N型过渡层InGaAsP平滑导带；在同样的外延结构基础上，分别设计了P台面直径为5μm和3μm的两种UTC‑PD；通过合理的设计UTC‑PD的外延结构，实现高渡越时间带宽，同时采用感性峰化技术补偿有源区面积大带来的高电容特性，能够在不降低响应度的前提下提高器件的3dB带宽和饱和电流，并且器件的3dB带宽达到亚太赫兹水平，可以应用于太赫兹通信系统。
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公开(公告)号：CN118041259A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410173832.7
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种采用单边预嵌入电感的共射极放大器，属于射频集成电路领域；具体包括输入匹配电路，级间匹配电路，并联嵌入电感，单边预嵌入电感，三级放大电路和输出匹配电路；输入信号依次进入三个放大电路的共射管基极，由共射管逐级放大后，由并联嵌入电感和单边预嵌入电感增大增益，最后通过集电极输出；同时，针对电感电容的谐振导致放大器的窄带问题，引入级间交错调谐，从而扩展带宽。通过在各级共射管的基极和集电极之间引入并联嵌入电感，与密勒电容产生谐振，从而消除密勒电容的影响，增益Gma提升至接近最大可实现增益；通过在集电极引入单边预嵌入电感，使并联嵌入电感所需值变小，更利于传输线的实现，具有高增益的优势。放大器工作在晶体管的最大振荡频率附近，适用于太赫兹通信领域。
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