-
公开(公告)号：CN118919414A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411000344.2
申请日：2024-07-24
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L21/467 , H01L21/033 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸的氧化物半导体刻蚀方法，属于信息材料与器件技术领域。本发明首先通过低温工艺得到纳米线材料，再通过自氧化结合自限制刻蚀的方法进一步微缩纳米线的直径，在小尺寸上实现氧化物半导体的自对准、高精度刻蚀。相较于传统的依赖DUV、EUV等设备曝光精度的其他掩膜刻蚀，本发明解决了现有氧化物半导体器件存在的尺寸微缩问题，可以提升集成电路密度，且极大的降低对光刻设备的需求，有效降低工艺成本。
Search Results
1
records
(took 0.039 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
