天然气泄漏检测装置及方法

    公开(公告)号:CN103575476A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310583176.X

    申请日:2013-11-19

    Abstract: 本发明提供一种天然气泄漏检测装置,包括:结构安装机架、激光发射机、与所述激光发射机对应匹配设置的激光接收机以及设置在安全控制中心室的检测主机,所述激光发射机、激光接收机均通过结构安装机架安装在天然气检测区顶面的边缘上;所述激光发射机还包括位于激光发射光路上的第一准直器,所述激光接收机还包括位于激光接收光路上的第二准直器;所述检测主机包括激光激发模块、光信号输出接口、光信号输入接口以及光谱分析模块,所述激光发射机通过光缆连接检测主机的光信号输出接口,激光接收机通过光缆连接检测主机的光信号输入接口。

    天然气泄漏检测装置及方法

    公开(公告)号:CN103575476B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201310583176.X

    申请日:2013-11-19

    Abstract: 本发明提供一种天然气泄漏检测装置,包括:结构安装机架、激光发射机、与所述激光发射机对应匹配设置的激光接收机以及设置在安全控制中心室的检测主机,所述激光发射机、激光接收机均通过结构安装机架安装在天然气检测区顶面的边缘上;所述激光发射机还包括位于激光发射光路上的第一准直器,所述激光接收机还包括位于激光接收光路上的第二准直器;所述检测主机包括激光激发模块、光信号输出接口、光信号输入接口以及光谱分析模块,所述激光发射机通过光缆连接检测主机的光信号输出接口,激光接收机通过光缆连接检测主机的光信号输入接口。

    天燃气检测用激光芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN102142658B

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201110047928.1

    申请日:2011-02-28

    Abstract: 本发明涉及一种天燃气检测用激光芯片的制造方法,属于半导体激光检测器技术领域。为提供稳定的用于天然气传感应用的激光束,以实现高精度的天然气检测,本发明提供的方法首先在n-InP衬底上进行一次外延,生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层以及p-n反型层;然后制作出复耦合型光栅,再进行二次外延生长,生长出p-InP盖层、刻蚀停止层和p-InGaAs接触层;然后腐蚀出脊台波导结构,并大面积淀积二氧化硅层,再刻制出脊台波导窗口,最后溅射出P面电极并蒸发出N面电极。由该方法制得的芯片具有可调谐性好、温度稳定性强、效率高、成本低、寿命长、适应于大规模生产等一系列优点。

    天燃气检测用激光芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN102142658A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN201110047928.1

    申请日:2011-02-28

    Abstract: 本发明涉及一种天燃气检测用激光芯片的制造方法,属于半导体激光检测器技术领域。为提供稳定的用于天然气传感应用的激光束,以实现高精度的天然气检测,本发明提供的方法首先在n-InP衬底上进行一次外延,生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层以及p-n反型层;然后制作出复耦合型光栅,再进行二次外延生长,生长出p-InP盖层、刻蚀停止层和p-InGaAs接触层;然后腐蚀出脊台波导结构,并大面积淀积二氧化硅层,再刻制出脊台波导窗口,最后溅射出P面电极并蒸发出N面电极。由该方法制得的芯片具有可调谐性好、温度稳定性强、效率高、成本低、寿命长、适应于大规模生产等一系列优点。

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