公开(公告)号：CN102142658B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201110047928.1

申请日：2011-02-28

Applicant: 北京航星网讯技术股份有限公司

Inventor： 张扬 ,  王选政 ,  于红艳 ,  娄瑞 ,  吴哲

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明涉及一种天燃气检测用激光芯片的制造方法，属于半导体激光检测器技术领域。为提供稳定的用于天然气传感应用的激光束，以实现高精度的天然气检测，本发明提供的方法首先在n-InP衬底上进行一次外延，生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层以及p-n反型层；然后制作出复耦合型光栅，再进行二次外延生长，生长出p-InP盖层、刻蚀停止层和p-InGaAs接触层；然后腐蚀出脊台波导结构，并大面积淀积二氧化硅层，再刻制出脊台波导窗口，最后溅射出P面电极并蒸发出N面电极。由该方法制得的芯片具有可调谐性好、温度稳定性强、效率高、成本低、寿命长、适应于大规模生产等一系列优点。

公开(公告)号：CN102142658A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110047928.1

申请日：2011-02-28

Applicant: 北京航星网讯技术股份有限公司

Inventor： 张扬 ,  王选政 ,  于红艳 ,  娄瑞 ,  吴哲

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明涉及一种天燃气检测用激光芯片的制造方法，属于半导体激光检测器技术领域。为提供稳定的用于天然气传感应用的激光束，以实现高精度的天然气检测，本发明提供的方法首先在n-InP衬底上进行一次外延，生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层以及p-n反型层；然后制作出复耦合型光栅，再进行二次外延生长，生长出p-InP盖层、刻蚀停止层和p-InGaAs接触层；然后腐蚀出脊台波导结构，并大面积淀积二氧化硅层，再刻制出脊台波导窗口，最后溅射出P面电极并蒸发出N面电极。由该方法制得的芯片具有可调谐性好、温度稳定性强、效率高、成本低、寿命长、适应于大规模生产等一系列优点。