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公开(公告)号：CN117586008A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311588825.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88 , H10N30/853 , H10N30/097
Abstract: 本发明提供一种高熵铌酸铋钙基无铅压电陶瓷材料及制备方法，属于压电陶瓷材料领域，化学组成为(CaxSryBazBiuNa1‑x‑y‑z‑u)Bi2Nb2‑wTawO9，0.2≤x≤1，0.2≤y≤1/3，0.2≤z≤1/3，0≤u≤0.2，0≤w≤1，u和w不同时为0。该体系的陶瓷组成为从单一正交铁电相向四方相转变，并且具有良好的压电性能与温度不敏感特性。
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