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公开(公告)号：CN112792735B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110077762.1
申请日：2021-01-20
Applicant: 北京科技大学 , 北京科技大学顺德研究生院
Abstract: 一种抑制金刚石膜研磨抛光裂纹萌生与扩展的夹具及使用方法。夹具包括底座、水槽、水槽引流孔、底座限位环、张紧环、缓冲垫、张紧螺栓；夹具底座上顶面为施加载荷面，下底面为加热后粘贴金刚石膜面，通过降温在该面与金刚石膜之间预制应力；底座限位环，放置于底座外面，水槽放置于底座限位环顶部，通过水槽底部均布的水槽引流孔，为底座与底座限位环之间缝隙提供水源；缓冲垫放置于底座底面；张紧环，包覆于缓冲垫外沿。完成平整化处理后，整个夹具直接进行快速加热处理，至粘结剂失效，完成平整化处理过程。本发明提高了金刚石膜整膜率和加工效率，解决了卡粉问题，减少环境污染。也可用于已带有裂纹的金刚石膜平整化处理，抑制裂纹扩展，提高金刚石膜的使用面积。
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公开(公告)号：CN112792735A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110077762.1
申请日：2021-01-20
Applicant: 北京科技大学 , 北京科技大学顺德研究生院
Abstract: 一种抑制金刚石膜研磨抛光裂纹萌生与扩展的夹具及使用方法。夹具包括底座、水槽、水槽引流孔、底座限位环、张紧环、缓冲垫、张紧螺栓；夹具底座上顶面为施加载荷面，下底面为加热后粘贴金刚石膜面，通过降温在该面与金刚石膜之间预制应力；底座限位环，放置于底座外面，水槽放置于底座限位环顶部，通过水槽底部均布的水槽引流孔，为底座与底座限位环之间缝隙提供水源；缓冲垫放置于底座底面；张紧环，包覆于缓冲垫外沿。完成平整化处理后，整个夹具直接进行快速加热处理，至粘结剂失效，完成平整化处理过程。本发明提高了金刚石膜整膜率和加工效率，解决了卡粉问题，减少环境污染。也可用于已带有裂纹的金刚石膜平整化处理，抑制裂纹扩展，提高金刚石膜的使用面积。
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公开(公告)号：CN114645260B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210240442.8
申请日：2022-03-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种红外增透高导电金刚石半导体的制备方法，属于金刚石功能光电材料领域。通过在金刚石表面生长氢终端纳米碳膜实现金刚石在近红外和长波红外波段增透，同时表面呈现高迁移率P型导电特征，工艺步骤为：a.将光学级单晶或微米晶金刚石自支撑膜双面抛光至表面粗糙度低于1nm；b.将金刚石置于低温氢等离子体中，刻蚀抛光态的表面，裸露出洁净的碳的悬挂键通入甲烷，引入碳源，在光学级金刚石膜表面无界面生长纳米碳膜；c.通过控制金刚石生长温度与时间，在金刚石表面生长出特定厚度的SP2/SP3键混合的纳米碳膜；d.关闭碳源，用氢等离子体活化得到氢终端纳米碳膜表面，实现金刚石表面的导电性增强，进而实现红外增透高导电金刚石半导体的制备。
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公开(公告)号：CN114645260A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210240442.8
申请日：2022-03-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种红外增透高导电金刚石半导体的制备方法，属于金刚石功能光电材料领域。通过在金刚石表面生长氢终端纳米碳膜实现金刚石在近红外和长波红外波段增透，同时表面呈现高迁移率P型导电特征，工艺步骤为：a.将光学级单晶或微米晶金刚石自支撑膜双面抛光至表面粗糙度低于1nm；b.将金刚石置于低温氢等离子体中，刻蚀抛光态的表面，裸露出洁净的碳的悬挂键通入甲烷，引入碳源，在光学级金刚石膜表面无界面生长纳米碳膜；c.通过控制金刚石生长温度与时间，在金刚石表面生长出特定厚度的SP2/SP3键混合的纳米碳膜；d.关闭碳源，用氢等离子体活化得到氢终端纳米碳膜表面，实现金刚石表面的导电性增强，进而实现红外增透高导电金刚石半导体的制备。
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