一种Fe-Ga系磁致伸缩材料及其制造工艺

    公开(公告)号:CN100352075C

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:CN02117462.8

    申请日:2002-05-17

    Abstract: 本发明属于磁性材料领域,材料成分为Fe100-x-yGaxMyQ,其中x=10-40,M为Al、Be、Cr、In、Cd、Mo、Ge,y=0-15,Q为C、N、O附加掺杂,其工艺要点为:按所发明材料成分的要求,用磁悬浮炉或真空感应炉冶炼母合金;用高温度梯度快速定向凝固法或提拉法或Bridgeman法制成单晶或多晶取向材料;在1000~1200℃处理1-48小时,随炉冷却至750-600℃,保温0.2-48小时,水淬;或从750-600℃以不同的冷速炉冷至室温;或在炉冷过程中施加500-2000Oe磁场。本发明材料具有 取向单晶或 、 取向多晶织构,饱和磁致伸缩系数λS可达200ppm以上,利于在磁场小于200Oe状况下工作,材料的生产成本低廉。

    一种Fe-Ga系磁致伸缩材料及其制造工艺

    公开(公告)号:CN1392616A

    公开(公告)日:2003-01-22

    申请号:CN02117462.8

    申请日:2002-05-17

    Abstract: 本发明属于磁性材料领域,材料成分为Fe100-x-yGaxMyQ,其中x=10-40,M为Al、Be、Cr、In、Cd、Mo、Ge,y=0-15,Q为C、N、O附加掺杂,其工艺要点为:按所发明材料成分的要求,用磁悬浮炉或真空感应炉冶炼母合金;用高温度梯度快速定向凝固法或提拉法或Bridgeman法制成单晶或多晶取向材料;在1000~1200℃处理1-48小时,随炉冷却至750-600℃,保温0.2-48小时,水淬;或从750-600℃以不同的冷速炉冷至室温;或在炉冷过程中施加500-2000Oe磁场。本发明材料具有 ;取向单晶或 ;、 ;取向多晶织构,饱和磁致伸缩系数λs可达200ppm以上,利于在磁场小于200Oe状况下工作,材料的生产成本低廉。

Patent Agency Ranking