-
公开(公告)号：CN101058117A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710099992.8
申请日：2007-06-01
Applicant: 北京科技大学
IPC: B22F3/23
Abstract: 一种制备Al/AlN电子封装材料的方法，属于电子封装技术领域。工艺步骤为：使用凝胶注模成形或注射成形制备Mg粉与Al粉的混合粉末或镁铝合金粉末坯体；坯体在温度为100℃～500℃和非氧化气氛下排除有机物；使上一步得到的坯体在温度为在600℃～900℃，氮气分压为1kPa～10MPa的气氛中烧结30分钟～120小时。优点在于。最终得到Al/AlN复合电子封装材料，该材料的N的质量分数量为3％～30％。同时，制备的Al/AlN复合材料的热导率在100W/m·K以上，满足了电子产品散热的需求。实现了低成本的制造高热导低热膨胀的电子封装材料。
-
公开(公告)号：CN100464904C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710099992.8
申请日：2007-06-01
Applicant: 北京科技大学
IPC: B22F3/23
Abstract: 一种制备Al/AlN电子封装材料的方法，属于电子封装技术领域。工艺步骤为：使用凝胶注模成形或注射成形制备Mg粉与Al粉的混合粉末或镁铝合金粉末坯体；坯体在温度为100℃～500℃和非氧化气氛下排除有机物；使上一步得到的坯体在温度为在600℃～900℃，氮气分压为1kPa～10MPa的气氛中烧结30分钟～120小时。优点在于，最终得到Al/AlN复合电子封装材料，该材料的N的质量分数量为3%～30%。同时，制备的Al/AlN复合材料的热导率在100W/m·K以上，满足了电子产品散热的需求。实现了低成本的制造高热导低热膨胀的电子封装材料。
-
公开(公告)号：CN101497128B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910080035.X
申请日：2009-03-17
Applicant: 北京科技大学
IPC: B22F3/105
Abstract: 本发明提供了一种制备高性能等离子体点火用阴极材料的方法，属于银基阴极复合材料粉末冶金技术，采用放电等离子体烧结法，以银、稀土氧化物为原料，按银与稀土氧化物质量比为99.9∶0.1～85∶15，进行球磨混合，之后将经过≤200目筛子粉末烧结，烧结温度400～700℃，压力30～50Mpa。在低于烧结温度100℃之前，升温速率为50～100℃/min，在达到低于烧结温度100℃之后，以30～80℃/min加热到400～700℃，保温5～15min。本方法能够制备出致密度较高，导电导热性良好，电子发射能力强，寿命明显高于以往阴极材料的高性能等离子体点火用阴极材料，由于使用Ag基复合材料取代了传统的纯银，降低了成本并提高了点火器的性能。
-
公开(公告)号：CN101497128A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910080035.X
申请日：2009-03-17
Applicant: 北京科技大学
IPC: B22F3/105
Abstract: 本发明提供了一种制备高性能等离子体点火用阴极材料的方法，属于银基阴极复合材料粉末冶金技术，采用放电等离子体烧结法，以银、稀土氧化物为原料，按银与稀土氧化物质量比为99.9∶0.1～85∶15，进行球磨混合，之后将经过≤200目筛子粉末烧结，烧结温度400～700℃，压力30～50MPa。在低于烧结温度100℃之前，升温速率为50～100℃/min，在达到低于烧结温度100℃之后，以30～80℃/min加热到400～700℃，保温5～15min。本方法能够制备出致密度较高，导电导热性良好，电子发射能力强，寿命明显高于以往阴极材料的高性能等离子体点火用阴极材料，由于使用Ag基复合材料取代了传统的纯银，降低了成本并提高了点火器的性能。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
