一种铜银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN1712556A

    公开(公告)日:2005-12-28

    申请号:CN200510011733.6

    申请日:2005-05-18

    Abstract: 本发明提供了一种铜银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法,属于金属纳米颗粒与无机非金属材料复合材料领域。在溅射设备内同时安装Cu、Ag和氧化物三个溅射靶,在每个溅射靶和基板前分别设置遮板,通过对金属和氧化物的沉积参数溅射靶的功率、氩气流量的单独控制,制备出具有纳米层状特征的铜银纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜;具体步骤为:先制备Cu或Ag纳米颗粒单层膜,再沉积氧化物膜,然后沉积Cu或Ag纳米颗粒单层膜,之后再沉积一层氧化物膜,制成具有层状结构的铜银纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于:此种铜银纳米颗粒分散氧化物层状薄膜中,铜银两种纳米颗粒以纯金属状态,在特定的波长处可观察到两个吸收峰,具有优良的非线形光学特性。

    一种锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN1290795C

    公开(公告)日:2006-12-20

    申请号:CN200510011664.9

    申请日:2005-04-29

    Abstract: 本发明提供了一种锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜及其制备方法,属于氧化物陶瓷薄膜材料技术领域,适用于介电薄膜材料。本发明的陶瓷薄膜化学式为:LixTiyNi1-x-yO,其中:x为0.05~0.5,y为0.02~0.2。采用溶胶-凝胶法制备前驱体溶液,使用匀胶机制备薄膜,其价格低廉,锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜材料是一种新型的无铅电介质薄膜材料,性能稳定。锂钛共掺杂氧化镍陶瓷薄膜材料具有高的介电常数,频率为1000Hz,ε>100,适合各种高介电常数薄膜器件的要求,在电介质领域,可用于制造薄膜电容器和动态随即存取存储器DRAM。

    一种铜金纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN1712557A

    公开(公告)日:2005-12-28

    申请号:CN200510011734.0

    申请日:2005-05-18

    Abstract: 本发明提供了一种铜金纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法。在溅射设备内同时安装Cu、Au和氧化物三个溅射靶,在每个溅射靶和基板前分别设置遮板,通过对金属和氧化物的沉积参数溅射靶的功率、氩气流量的单独控制,制备出具有纳米层状特征的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜;具体步骤为:先制备Cu或Au纳米颗粒单层膜,再沉积氧化物膜,然后沉积Cu或Au纳米颗粒单层膜,之后再沉积一层氧化物膜。按上述顺序交替沉积,制成具有层状结构的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于:此种铜金纳米颗粒分散氧化物层状薄膜中,铜金两种纳米颗粒以纯金属状态而不是以合金的状态存在,在特定的波长处可观察到两个吸收峰,具有优良的非线形光学特性。

    一种铜金纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN100379892C

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200510011734.0

    申请日:2005-05-18

    Abstract: 本发明提供了一种铜金纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法。在溅射设备内同时安装Cu、Au和氧化物三个溅射靶,在每个溅射靶和基板前分别设置遮板,通过对金属和氧化物的沉积参数溅射靶的功率、氩气流量的单独控制,制备出具有纳米层状特征的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜;具体步骤为:先制备Cu或Au纳米颗粒单层膜,再沉积氧化物膜,然后沉积Cu或Au纳米颗粒单层膜,之后再沉积一层氧化物膜。按上述顺序交替沉积,制成具有层状结构的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于:此种铜金纳米颗粒分散氧化物层状薄膜中,铜金两种纳米颗粒以纯金属状态而不是以合金的状态存在,在特定的波长处可观察到两个吸收峰,具有优良的非线形光学特性。

    一种锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN1699273A

    公开(公告)日:2005-11-23

    申请号:CN200510011664.9

    申请日:2005-04-29

    Abstract: 本发明提供了一种锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜及其制备方法,属于氧化物陶瓷薄膜材料技术领域,适用于介电薄膜材料。本发明的陶瓷薄膜化学式为:LixTiyNi1-x-yO,其中:x为0.05~0.5,y为0.02~0.2。采用溶胶-凝胶法制备前驱体溶液,使用匀胶机制备薄膜,其价格低廉,锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜材料是一种新型的无铅电介质薄膜材料,性能稳定。锂钛共掺杂氧化镍陶瓷薄膜材料具有高的介电常数,频率为1000Hz,ε>100,适合各种高介电常数薄膜器件的要求,在电介质领域,可用于制造薄膜电容器和动态随即存取存储器DRAM。

    一种铜银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN100379891C

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200510011733.6

    申请日:2005-05-18

    Abstract: 本发明提供了一种铜银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法,属于金属纳米颗粒与无机非金属材料复合材料领域。在溅射设备内同时安装Cu、Ag和氧化物三个溅射靶,在每个溅射靶和基板前分别设置遮板,通过对金属和氧化物的沉积参数溅射靶的功率、氩气流量的单独控制,制备出具有纳米层状特征的铜银纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜;具体步骤为:先制备Cu或Ag纳米颗粒单层膜,再沉积氧化物膜,然后沉积Cu或Ag纳米颗粒单层膜,之后再沉积一层氧化物膜,制成具有层状结构的铜银纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于:此种铜银纳米颗粒分散氧化物层状薄膜中,铜银两种纳米颗粒以纯金属状态,在特定的波长处可观察到两个吸收峰,具有优良的非线形光学特性。

Patent Agency Ranking