公开(公告)号：CN102517036B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201110412642.9

申请日：2011-12-12

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨槐 ,  王冬 ,  苗宗成 ,  张永明 ,  金绍奎 ,  武钊 ,  赵玉

IPC: C09K19/18 ,  C07C22/08 ,  C07C17/266 ,  C07C255/50 ,  C07C253/30

Abstract: 本发明涉及一种联炔苯液晶化合物及其制备方法，属于液晶化合物技术领域。该化合物结构为：其中n为1-18的整数，该类化合物制备方法包括：中间体苯炔的溴代反应，中间体卤苯乙炔化反应，去三甲基硅反应，Sonogashira偶联反应等。本发明制备的一类联炔苯液晶化合物具有较长的π-电子共轭体系，分子端基具有吸电子基团和供电子基团。本发明制备的联炔苯类液晶化合物用于显示会有效地减少显示器的厚度，增加相应速率，提高液晶的光电各项异性。且本发明的化合物亦是性能优良的液晶分子取向材料、空间光调节材料、PDLC薄膜材料及光存贮聚合单体材料。

公开(公告)号：CN102517036A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110412642.9

申请日：2011-12-12

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨槐 ,  王冬 ,  苗宗成 ,  张永明 ,  金绍奎 ,  武钊 ,  赵玉

IPC: C09K19/18 ,  C07C22/08 ,  C07C17/266 ,  C07C255/50 ,  C07C253/30

Abstract: 本发明涉及一种联炔苯液晶化合物及其制备方法，属于液晶化合物技术领域。该化合物结构为：其中n为1-18的整数，该类化合物制备方法包括：中间体苯炔的溴代反应，中间体卤苯乙炔化反应，去三甲基硅反应，Sonogashira偶联反应等。本发明制备的一类联炔苯液晶化合物具有较长的π-电子共轭体系，分子端基具有吸电子基团和供电子基团。本发明制备的联炔苯类液晶化合物用于显示会有效地减少显示器的厚度，增加相应速率，提高液晶的光电各项异性。且本发明的化合物亦是性能优良的液晶分子取向材料、空间光调节材料、PDLC薄膜材料及光存贮聚合单体材料。

公开(公告)号：CN102746853B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201210205217.7

申请日：2012-06-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨槐 ,  赵玉真 ,  苗宗成 ,  杜政才 ,  李毕荣 ,  金召奎 ,  梁蓬霞 ,  弥永胜 ,  张婉姝

IPC: C07D249/06 ,  C09K19/34 ,  C09K19/56

Abstract: 本发明涉及一类三唑类液晶化合物及其制备方法，属于液晶化合物技术领域，该类化合物制备方法包括：点击化学反应，去三甲基硅反应，Sonogashira偶联反应等。本发明制备的一类三唑类液晶化合物,分子端基具有吸电子基团和供电子基团，具有相当宽的温域范围。本发明制备的三唑类液晶化合物用于显示会有效地减少显示器的厚度，增加相应速率，提高液晶的光电各项异性。且本发明的化合物亦是性能优良的液晶分子取向材料、空间光调节材料、PDLC薄膜材料及光存贮聚合单体材料。

公开(公告)号：CN102603568A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110383773.9

申请日：2011-11-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨槐 ,  王冬 ,  张永明 ,  苗宗成 ,  张辰楠 ,  金召奎

IPC: C07C255/50 ,  C07C253/30 ,  C07C25/24 ,  C07C17/269 ,  C07C331/28 ,  C09K19/18

Abstract: 本发明属于液晶化合物合成技术领域，涉及含氟双二苯乙炔类液晶化合物及其制备方法。该化合物结构如下所示：其中n为1-4的整数，R1为供电子基团，R2为吸电子基团。该类化合物主要经Sonogashira偶联反应和去三甲基硅反应得到。本发明制备的一类含氟双二苯乙炔液晶化合物具有大的π-电子共轭体系，分子端基具有吸电子基团和供电子基团，且分子无对称性。本发明制备的含氟双二苯乙炔类液晶化合物具有大双折射率，且分子两端基团的特点，将在非线性光学、3D图像显示、空间光调制器及光学设备上有很大的应用前景。

公开(公告)号：CN102746853A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210205217.7

申请日：2012-06-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨槐 ,  赵玉真 ,  苗宗成 ,  杜政才 ,  李毕荣 ,  金召奎 ,  梁蓬霞 ,  弥永胜 ,  张婉姝

IPC: C09K19/34 ,  C09K19/56 ,  C07D249/06

Abstract: 本发明涉及一类三唑类液晶化合物及其制备方法，属于液晶化合物技术领域，该类化合物制备方法包括：点击化学反应，去三甲基硅反应，Sonogashira偶联反应等。本发明制备的一类三唑类液晶化合物,分子端基具有吸电子基团和供电子基团，具有相当宽的温域范围。本发明制备的三唑类液晶化合物用于显示会有效地减少显示器的厚度，增加相应速率，提高液晶的光电各项异性。且本发明的化合物亦是性能优良的液晶分子取向材料、空间光调节材料、PDLC薄膜材料及光存贮聚合单体材料。