公开(公告)号：CN106702337B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201611132504.4

申请日：2016-12-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 庞晓露 ,  白燕芸 ,  高克玮

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明涉及金属材料表面改性技术领域，提供了一种硬质涂层应力原位控制方法；工艺如下：对抛光的金属基体进行超声清洗，固定于磁控溅射真空室内；抽真空至5.0×10‑3 Pa，同时加热基体至温度T1；通入Ar沉积金属过渡层，当过渡层厚度达到要求后停止沉积；降低基体温度至T2，通入N2沉积氮化物薄膜，薄膜厚度达到要求后停止沉积；降温至室温。本发明方法得到的薄膜中的残余应力是由金属材料与氮化物薄膜热膨胀系数，以及金属过渡层与氮化物薄膜之间的错配度和热应力产生的，本发明不需要基体材料表面预处理和后处理，提高了膜基结合力，得到的薄膜中具有数值适当的较高的残余压应力，工艺简单。

公开(公告)号：CN106702337A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611132504.4

申请日：2016-12-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 庞晓露 ,  白燕芸 ,  高克玮

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/165

Abstract: 本发明涉及金属材料表面改性技术领域，提供了一种硬质涂层应力原位控制方法；工艺如下：对抛光的金属基体进行超声清洗，固定于磁控溅射真空室内；抽真空至5.0×10‑3 Pa，同时加热基体至温度T1；通入Ar沉积金属过渡层，当过渡层厚度达到要求后停止沉积；降低基体温度至T2，通入N2沉积氮化物薄膜，薄膜厚度达到要求后停止沉积；降温至室温。本发明方法得到的薄膜中的残余应力是由金属材料与氮化物薄膜热膨胀系数，以及金属过渡层与氮化物薄膜之间的错配度和热应力产生的，本发明不需要基体材料表面预处理和后处理，提高了膜基结合力，得到的薄膜中具有数值适当的较高的残余压应力，工艺简单。