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公开(公告)号：CN115449810A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210968809.8
申请日：2022-08-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种由FeOOH鳞片组成的中空管催化剂材料的制备方法，包括以下步骤：制备Cu2O线，首先将Cu(Ac)2溶解在去离子水中，然后将吡咯溶解在去离子水中，然后将吡咯溶液加入到Cu(Ac)2溶液中，冷却后收集样品，得到Cu2O线；制备由FeOOH鳞片组成的中空管催化剂材料，首先将PVP溶解于去离子水中，然后将制得的Cu2O线、FeCl2·4H2O溶解于上述的PVP溶液中，冰浴条件下，配制Na2S2O3·5H2O溶液，然后以注射器为容器，按照自然滴落的方式，将其加入上述PVP的混合溶液中，保持冰浴条件，混合物持续搅拌，收集样品，得到由FeOOH鳞片组成的中空管催化剂材料。
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公开(公告)号：CN104190921B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410443538.X
申请日：2014-09-02
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种Au/Ni12P5核壳结构的纳米粒子，该纳米粒子为面心立方相Au核与体心四方相Ni12P5壳层构成，所述Ni12P5壳层为单晶结构。该纳米粒子的制备方法是采用原位转化结合重结晶的方法，以事先合成的Au?Ni哑铃结构为前驱体，添加三苯基膦，将Au?Ni哑铃结构原位转化为Au/Ni12P5核壳结构。该方法提供了一条有效制备新颖的具有单晶半导体壳层的金属?半导体核壳结构纳米材料的途径，操作简单，产物均匀性好；所得到的Au/Ni12P5核壳结构的纳米粒子具有很好的稳定性和物理化学性质，其优异的电容性能为其在高能量密度、高充放电稳定性的电化学能量存储器件应用中提供良好基础，可以广泛用于超级电容器、催化剂等领域。
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公开(公告)号：CN117727816A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311619405.9
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/112 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种CuOx/WSe2异质结光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器的技术领域，该光电探测器的异质结包括纵向混合维度的CuOx/WSe2异质结；其中，x的取值范围为0.5～1；该异质结的CuOx的颗粒尺寸在10nm以下。本发明通过引入亚10nm尺寸具有大量铜空位的CuOx颗粒，从而提高p型WSe2的光电晶体管的光响应性能，在365nm～810nm的近红外到紫外波段，在不同的栅压下，能够使光响应度、比探测率以及外部量子效率得到较大提升，达到了在带来较大增益效果的同时却没有增加光电晶体管的响应时间的技术效果，实现了保持快速响应下的高增益光探测。
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公开(公告)号：CN116516401A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310333139.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/031 , C01G39/02 , C01G53/11 , C01G1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B7/14 , C30B29/46 , C30B29/62
Abstract: 本发明提供了一种氧化钼‑硫化镍异质结构纳米阵列电催化剂的制备方法，包括以下步骤：1)制备泡沫镍(NF)基板；2)制备硫脲和(NH4)6Mo7O24·4H2O的均相溶液，称取摩尔比为10‑20:1的硫脲和(NH4)6Mo7O24·4H2O，溶解在去离子水中，搅拌后获得均相溶液；3)使步骤1制备的泡沫镍基板与步骤2制备的均相溶液反应，获得MoOx‑Ni3S2/NF异质结构纳米阵列样品。本发明的技术方案可以大幅提升催化剂的导电性和催化效率，并且降低制造成本。
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公开(公告)号：CN114182290A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111578005.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供一种贵金属‑二维过渡金属硫族化合物异质结构、制备方法及其应用，所述方法包括如下步骤：步骤S1、提供二维过渡金属硫族化合物纳米片；步骤S2、使用湿化学方法合成贵金属‑二维过渡金属硫族化合物异质结构，具体步骤如下：将二维过渡金属硫族化合物纳米片、贵金属源和粘结剂混合在溶剂中，并保持搅拌一定时间以得到混合液，然后将还原剂加入到上述混合液并继续搅拌，然后离心收集产物，用乙醇和去离子水洗涤数次，之后将所得产物烘干以得到所述贵金属‑二维过渡金属硫族化合物异质结构。所制备的Pt‑MoS2复合材料比MoS2纳米片和制备的Pt纳米颗粒具有更加优异的电催化析氢性能。在10 mA·cm‑2电流密度下具有较低的过电位(67.4 mV)，较小的Tafel斜率(76.2 mV·dec‑1)，以及更强的HER耐久性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111725348B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010631397.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电器件领域，提供了一种高光响应TiO2/MoS2异质结可见光探测器及制备方法，所述探测器基于背栅MoS2场效应晶体管，包括沟道MoS2、修饰层TiO2、介电层SiO2、源漏极Au和栅极Si，修饰层TiO2修饰在沟道MoS2表面。本发明方法采用微机械剥离法和定点转移电极法构筑背栅少层MoS2场效应晶体管，在沟道表面沉积Ti，自然氧化得到探测器。本发明可获得比较完美的Au/MoS2界面，避免破坏MoS2结构或引入杂质；Ti的强浸润性使得TiO2具有超薄特性，并增大了TiO2与MoS2间接触面积，TiO2中氧空位提升可见光响应，TiO2在MoS2中引入更多空穴陷阱，增强光诱导栅控效应。
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公开(公告)号：CN111725348A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010631397.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电器件领域，提供了一种高光响应TiO2/MoS2异质结可见光探测器及制备方法，所述探测器基于背栅MoS2场效应晶体管，包括沟道MoS2、修饰层TiO2、介电层SiO2、源漏极Au和栅极Si，修饰层TiO2修饰在沟道MoS2表面。本发明方法采用微机械剥离法和定点转移电极法构筑背栅少层MoS2场效应晶体管，在沟道表面沉积Ti，自然氧化得到探测器。本发明可获得比较完美的Au/MoS2界面，避免破坏MoS2结构或引入杂质；Ti的强浸润性使得TiO2具有超薄特性，并增大了TiO2与MoS2间接触面积，TiO2中氧空位提升可见光响应，TiO2在MoS2中引入更多空穴陷阱，增强光诱导栅控效应。
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公开(公告)号：CN110026565B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201910304145.3
申请日：2019-04-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Au/NiSx鸡蛋壳结构纳米颗粒，属于纳米材料领域。该纳米颗粒为立方相Au核与菱形相Ni3S2或立方相Ni3S4壳层构成。该纳米颗粒的制备方法是原位转化法，以事先合成的Au‑Ni二聚体结构为前驱体，添加1‑十二硫醇，将Au‑Ni二聚体结构原位转化为Au/NiSx鸡蛋壳结构。该方法提供了一条简单有效制备新颖的贵金属‑过渡金属硫化物鸡蛋壳结构纳米材料的途径，操作简单；所得到的Au/NiSx鸡蛋壳结构纳米结构具有单晶壳层，其优异析氢催化性能为其在高效电解水的应用中提供良好基础，可以广泛用于催化剂、超级电容器等领域。
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公开(公告)号：CN110026566A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910304694.0
申请日：2019-04-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有单晶壳层的Au@Ni3S2核壳结构纳米颗粒，该纳米颗粒为面心立方相Au核与菱形相Ni3S2壳层构成，所述Ni3S2壳层为单晶结构。该纳米颗粒的制备方法是种子生长法，以事先合成的Au纳米颗粒为种子，添加1-十二硫醇，生成Ni3S2沿Au纳米颗粒外延生长，形成Au@Ni3S2核壳结构。该方法提供了一条简单有效制备新颖的具有单晶半导体壳层的金属-半导体核壳结构纳米材料的途径，操作简单，产物均匀性好；所得到的Au@Ni3S2核壳纳米结构具有很好的稳定性和物理化学性质，其优异析氢催化性能为其在高效电解水的应用中提供良好基础，可以广泛用于催化剂、超级电容器等领域。
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公开(公告)号：CN117727817A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311619433.0
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/112 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种CuOx/WSe2异质结界面及其构筑方法、应用，涉及异质结界面的技术领域，构成该异质结界面的CuOx的颗粒尺寸在10nm以下，其x的取值为0.5～1。本发明解决了亚10nm尺寸的异质结界面敏感、不易产生积极作用、构建工艺复杂以及界面调控易失效的技术问题，达到了构筑工艺简单、重复性高、构筑得到的亚10nm尺寸的CuOx/WSe2异质结界面具有极高的空气稳定性、无应力累积，以及没有过多的缺陷和成键态的技术效果，同时其界面相互作用以载流子迁移为主，在光电方面的应用存在较高的潜力。
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