公开(公告)号：CN101348931A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810119810.3

申请日：2008-09-11

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 郭敏 ,  张梅 ,  杨传钰 ,  王习东

IPC: C25D9/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/62 ,  C30B30/02 ,  B82B3/00 ,  C01G9/02

Abstract: 本发明公开了一种脉冲电沉积制备均匀透明氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法，属于纳米材料制备领域，依次包括如下步骤：将分析纯的氯化锌和氯化钾溶解于蒸馏水中搅拌，得到稳定透明的溶液后置于60～80℃的水浴中恒温，向此溶液中持续通入氧气；在三电极体系中，采用涂覆ZnO纳米粒子膜的ITO导电玻璃为阴极，铂片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，在－0.8～－1.1V的外加电压下，控制通断时间比为ton/toff＝10s/10s～1s/1s，进行脉冲电沉积ZnO纳米棒阵列薄膜。本发明通过调整前驱体的初始浓度以及脉冲电沉积的外加电压、电压的通断时间比、脉冲频率等控制因素，制备出直径小于50nm、长度均匀可控的透明氧化锌纳米棒阵列薄膜，有效地提高了氧化锌纳米棒阵列薄膜的质量。本发明工艺简单，可控性强，减少了能耗，能够满足大规模生产的需要，在太阳能电池、光电子、催化等领域有着广泛的应用前景。