公开(公告)号：CN101168448A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710120354.X

申请日：2007-08-16

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李艳丽 ,  龙毅 ,  叶荣昌 ,  万发荣

IPC: C01F17/00 ,  C22C28/00 ,  F25B9/00 ,  H01F1/01

Abstract: 一种低温大比热磁性蓄冷材料及其制备方法，属于稀土磁热材料领域。化学组成为(Er1－xMx)(In1－yDy)3，其中M表示重稀土元素Ho、Dy、Tb或Gd，D表示主族元素Ga、Sn、Sb、Pb或Bi，x＝0～0.6，y＝0～0.5。该材料具有简单的立方Cu3Au立方结构，并且是单相。制备方法是将Er，M，In，D按化学成分进行配比，放入真空电弧炉或感应炉中，抽真空至2×10－2Pa后，通入氩气作为保护气，熔炼冷却后得到成分均匀的化合物。其优点在于：制备工艺简单，所得化合物结构简单，在3K到10K范围内出现比热峰值，有望提高低温制冷机在5K以下的制冷效率。

公开(公告)号：CN100567161C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200710120354.X

申请日：2007-08-16

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李艳丽 ,  龙毅 ,  叶荣昌 ,  万发荣

IPC: C01F17/00 ,  C22C28/00 ,  F25B9/00 ,  H01F1/01

Abstract: 一种低温大比热磁性蓄冷材料及其制备方法，属于稀土磁热材料领域。化学组成为(Er1-xMx)(In1-yDy)3，其中M表示重稀土元素Ho、Dy、Tb或Gd，D表示主族元素Ga、Sn、Sb、Pb或Bi，x＝0～0.6，y＝0～0.5。该材料具有简单的立方Cu3Au立方结构，并且是单相。制备方法是将Er，M，In，D按化学成分进行配比，放入真空电弧炉或感应炉中，抽真空至2×10-2Pa后，通入氩气作为保护气，熔炼冷却后得到成分均匀的化合物。其优点在于：制备工艺简单，所得化合物结构简单，在3K到10K范围内出现比热峰值，有望提高低温制冷机在5K以下的制冷效率。