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公开(公告)号：CN114921773B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210420722.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/40
Abstract: 一种金刚石基稀土掺杂单层或多层功能薄膜的制备方法。本发明在金刚石表面镀制镧(La)掺杂单层或多层稀土氧化膜(X2O3，X代表稀土元素)，形成金刚石膜表面带有La掺杂单层或多层稀土氧化功能薄膜材料。首先对采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)制备的金刚石膜进行激光平整化、抛光、酸洗以及丙酮和酒精清洗后获得热导率≥2000w/(m·K)金刚石膜；再通过磁控溅射方法在双面抛光金刚石膜单面沉积La掺杂稀土氧化单层或多层功能薄膜，进而获得金刚石基La掺杂稀土氧化单层或多层功能薄膜材料。本发明金刚石基La掺杂稀土氧化单层或多层功能薄膜具有较好的光学透过率、高介电常数、宽禁带宽度和优异热稳定性，适用于MOSFET器件介质层和红外窗口应用需求。
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公开(公告)号：CN115125511B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210635581.0
申请日：2022-06-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种带微槽道结构曲面金刚石氚钛靶制备方法，属于核技术应用技术领域。首先采用直流电弧等离子体化学气相沉积(DC arc plasma jet CVD)制备高热导率曲面金刚石膜；随后采用曲面研磨机对曲面金刚石膜生长面和形核面进行研磨；再通过激光器在金刚石膜的形核面进行微槽道加工；将加工后曲面金刚石膜进行酸洗去除激光加工产生的石墨；最后通过多功能磁控溅射设备在曲面金刚石膜的生长面镀制1‑10μm厚吸氚金属层，进而获得带微槽道结构曲面金刚石氚钛靶。本发明曲面金刚石氚钛靶导热系数高、散热性能优异，特别适用于高载热氚靶散热技术等领域应用需求。
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公开(公告)号：CN115125511A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210635581.0
申请日：2022-06-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种带微槽道结构曲面金刚石氚钛靶制备方法，属于核技术应用技术领域。首先采用直流电弧等离子体化学气相沉积(DC arc plasma jet CVD)制备高热导率曲面金刚石膜；随后采用曲面研磨机对曲面金刚石膜生长面和形核面进行研磨；再通过激光器在金刚石膜的形核面进行微槽道加工；将加工后曲面金刚石膜进行酸洗去除激光加工产生的石墨；最后通过多功能磁控溅射设备在曲面金刚石膜的生长面镀制1‑10μm厚吸氚金属层，进而获得带微槽道结构曲面金刚石氚钛靶。本发明曲面金刚石氚钛靶导热系数高、散热性能优异，特别适用于高载热氚靶散热技术等领域应用需求。
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公开(公告)号：CN114921773A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210420722.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/40
Abstract: 一种金刚石基稀土掺杂单层或多层功能薄膜的制备方法。本发明在金刚石表面镀制镧(La)掺杂单层或多层稀土氧化膜(X2O3，X代表稀土元素)，形成金刚石膜表面带有La掺杂单层或多层稀土氧化功能薄膜材料。首先对采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)制备的金刚石膜进行激光平整化、抛光、酸洗以及丙酮和酒精清洗后获得热导率≥2000w/(m·K)金刚石膜；再通过磁控溅射方法在双面抛光金刚石膜单面沉积La掺杂稀土氧化单层或多层功能薄膜，进而获得金刚石基La掺杂稀土氧化单层或多层功能薄膜材料。本发明金刚石基La掺杂稀土氧化单层或多层功能薄膜具有较好的光学透过率、高介电常数、宽禁带宽度和优异热稳定性，适用于MOSFET器件介质层和红外窗口应用需求。
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