公开(公告)号：CN118389872A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410590704.2

申请日：2024-05-13

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 陈海洋 ,  孙海龙 ,  王沿东 ,  杨经昊 ,  崔宁涛 ,  从道永

IPC: C22C1/02 ,  C22C30/00 ,  C22C19/03 ,  C30B29/52 ,  C30B11/00

Abstract: 一种基于熔体净化处理的Ni‑Fe‑Ga‑Co形状记忆合金单晶的制备方法，属于形状记忆合金领域。具体包括以下步骤：（1）通过电弧熔炼与吸铸技术制备多晶棒料；（2）将多晶棒料放入带尖端的石英模具内，四周间隙处填充玻璃净化剂粉末；（3）利用感应加热将棒料熔化作净化处理；（4）调控尖端区域温度；（5）使过热合金液流入模具尖端，在尖端前沿形成预制晶核；（6）控制升降杆带动过热合金液缓缓定向冷却，得到形状记忆合金单晶。本发明利用玻璃净化剂净化合金，使合金液具有大的热力学过冷度，但处于过热态；利用尖端预制的晶核逐步侵入过热液体生长，使熔体处于低的动力学过冷，从而保证了单一晶核的单向稳定生长，实现了形状记忆合金单晶的低成本制备。