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公开(公告)号：CN109277580B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811347895.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提出了一种制备Cr‑Mn复合纳米线的方法，属于金属纳米线制备领域。本发明在样品室内放入Sn球，以1500目304不锈钢网作为蒸发源，在真空度为10‑1Pa蒸发温度为800℃～900℃的条件下，使其中的Cr、Mn元素蒸发，借助金属Sn蒸气的催化作用，使Cr、Mn元素蒸气在不锈钢网表面冷凝沉积，最终得到Cr‑Mn复合纳米线。本发明具有工艺简单，成本低廉，收得率高，制备量大等优点。
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公开(公告)号：CN109277580A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811347895.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提出了一种制备Cr-Mn复合纳米线的方法，属于金属纳米线制备领域。本发明在样品室内放入Sn球，以1500目304不锈钢网作为蒸发源，在真空度为10-1Pa蒸发温度为800℃～900℃的条件下，使其中的Cr、Mn元素蒸发，借助金属Sn蒸气的催化作用，使Cr、Mn元素蒸气在不锈钢网表面冷凝沉积，最终得到Cr-Mn复合纳米线。本发明具有工艺简单，成本低廉，收得率高，制备量大等优点。
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公开(公告)号：CN113481467B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110609168.2
申请日：2021-06-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种通过添加过渡层抑制Al‑Ni纳米多层薄膜相变过程中有序金属间化合物生成的方法。根据使用环境的需求，引入可以与Al或Ni发生自蔓延反应的材料如Cu、Ti等作为过渡层，进而通过过渡层厚度的设计使之与未引入过渡层的初始薄膜的厚度相匹配，不改变薄膜最终的稳定相产物；采用磁控溅射等镀膜工艺制备周期为Al/X/Ni/X，总厚度可调的复合薄膜，在抑制室温Al和Ni元素互扩散、保证存储稳定的基础上，进一步抑制了相变过程中初始Al3Ni或Al3Ni2等有序金属间化合物相的形成，减弱初始析出的有序金属间化合物相对原子扩散的阻碍作用，促进特定调制周期对应的稳定相的优先或直接形成，对于提升其能量输出，甚至实现可控的能量释放，进一步推动在军事和工业上的应用有着重要的意义。
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公开(公告)号：CN113481467A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110609168.2
申请日：2021-06-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种通过添加过渡层抑制Al‑Ni纳米多层薄膜相变过程中有序金属间化合物生成的方法。根据使用环境的需求，引入可以与Al或Ni发生自蔓延反应的材料如Cu、Ti等作为过渡层，进而通过过渡层厚度的设计使之与未引入过渡层的初始薄膜的厚度相匹配，不改变薄膜最终的稳定相产物；采用磁控溅射等镀膜工艺制备周期为Al/X/Ni/X，总厚度可调的复合薄膜，在抑制室温Al和Ni元素互扩散、保证存储稳定的基础上，进一步抑制了相变过程中初始Al3Ni或Al3Ni2等有序金属间化合物相的形成，减弱初始析出的有序金属间化合物相对原子扩散的阻碍作用，促进特定调制周期对应的稳定相的优先或直接形成，对于提升其能量输出，甚至实现可控的能量释放，进一步推动在军事和工业上的应用有着重要的意义。
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