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公开(公告)号：CN107043111B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201710012522.7
申请日：2017-01-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B33/158 , C01B33/06 , C01B33/00 , C01B33/12 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种一硫化硅水解制备硅胶的方法，属于材料制备领域。本发明用硅热还原二硫化钼制备二硅化钼过程中的副产物一硫化硅蒸汽，利用气相沉积法制备出了超细一硫化硅粉末，并水解一硫化硅粉末制备出了硅溶胶，然后凝胶干燥得到硅胶。解决传统制备硅胶方法存在着的原料成本高，操作复杂，设备要求高，成本高，污染大等问题。本发明公开的制备硅胶的工艺，采用一硫化硅和水作为原料，在室温下就可以进行，除硅胶外其他产物都是气体，不需要洗胶除杂等过程，制备的硅胶纯度高。本发明工艺简单，原料成本低，流程短，操作方便，污染能耗低，所有副产物都可以集中利用，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110228797A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201810826139.X
申请日：2018-07-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本制备二维氮化钼或氮化钨纳米片的方法，属于纳米材料制备领域。本发明使用钼精矿(二硫化钼)或二硫化钨为主要原料，加入一定量的碳酸钠，在高温炉中氨气气氛600-900℃之间进行氮化反应。然后将反应后的产物洗涤、过滤和干燥，得到二维氮化钼或氮化钨纳米片。本发明使用成本较低的钼精矿(二硫化钼)或二硫化钨和碳酸钠为主要原料，可以降低生产成本。本方法生产效率高、工艺简单、适合大规模生产二维氮化钼或氮化钨纳米片。
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公开(公告)号：CN108500283A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810368127.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种低成本两段还原制备纳米钨粉的方法，属于有色金属制备领域。在第一段以碳作为还原剂，三氧化钨为原料，温度范围在900-1200℃之间进行缺碳还原，将大部分三氧化钨还原为钨粉，而保留少量的氧以避免碳的残留。第二段在600-950℃之间用氢气作为还原剂除去第一段制备的预还原钨粉中少量的氧。本发明使用成本较低的碳作为还原剂将氧化钨中的大于90％的氧脱除，仅在第二段中使用极其少量的氢气，既可以避免碳的残留，又能保证钨粉的纯度，并极大的降低生产成本。相比于直接用氢气还原，碳还原氧化钨可以避免气相迁移机理造成的钨粉颗粒长大，从而获得粒度分布均匀的纳米钨粉。本发明制备的钨粉的平均粒度为40-200纳米；原料成本低，产品纯度高，粒度小，工艺简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN106498264B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201610896691.7
申请日：2016-10-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种真空碳热还原钼精矿制备含钼炼钢添加剂和二硫化碳的方法，属于材料制备领域。本发明采用钼精矿和碳粉作为原料，按目标比例配料充分混合后，用真空碳热还原法，在1200℃‑1700℃，真空度为1‑1000Pa，制备出含钼高达90％冶炼含钼钢的添加剂，另外制备出了挥发产物二硫化碳，是一种重要的化工原料，经冷凝后收集。本发明无污染气体二氧化硫和其他污染物产生，不仅制备得含钼炼钢添加剂，还制备得到极具价值的二硫化碳。
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公开(公告)号：CN105645416B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610007014.5
申请日：2016-01-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B33/06
Abstract: 本发明公开了一种低成本二硅化钼及其制备方法，属于材料制备技术领域。现有技术制备二硅化钼的方法是用Mo粉和Si粉作为原料，由于Mo粉的价格较高，所以现有技术生产二硅化钼的成本比较高。本发明采用价格较低的MoS2粉和Si粉作为原料。首先将MoS2粉和Si粉按一定摩尔比配料混合，均匀混合，压块，焙烧，得到二硅化钼。本发明直接采用MoS2粉和Si粉制备二硅化钼，成本低，操作简单，反应易于控制，解决了现有技术制备二硅化钼成本高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107043111A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710012522.7
申请日：2017-01-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B33/158 , C01B33/06 , C01B33/00 , C01B33/12 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种一硫化硅水解制备硅胶的方法，属于材料制备领域。本发明用硅热还原二硫化钼制备二硅化钼过程中的副产物一硫化硅蒸汽，利用气相沉积法制备出了超细一硫化硅粉末，并水解一硫化硅粉末制备出了硅溶胶，然后凝胶干燥得到硅胶。解决传统制备硅胶方法存在着的原料成本高，操作复杂，设备要求高，成本高，污染大等问题。本发明公开的制备硅胶的工艺，采用一硫化硅和水作为原料，在室温下就可以进行，除硅胶外其他产物都是气体，不需要洗胶除杂等过程，制备的硅胶纯度高。本发明工艺简单，原料成本低，流程短，操作方便，污染能耗低，所有副产物都可以集中利用，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106435648A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610895288.2
申请日：2016-10-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高温电解熔融钼精矿制备金属钼的方法，属于材料制备领域。本发明采用钼精矿作为原料，在1200℃-1600℃的高温，惰性气体保护下，用钼电极作为阴极，石墨电极或惰性电极作为阳极，电解熔融态钼精矿，在阴极产生金属钼并富集，阳极产生二硫化碳(阳极极若为石墨电极)或硫蒸汽(阳极极若为惰性电极)。本发明制备出较纯的金属钼，另外制备出了二硫化碳蒸汽或硫蒸汽，经冷凝后收集。本发明无污染气体二氧化硫生成和其他污染物生成，将钼精矿中的硫资源直接转化成有价值的二硫化碳或硫，有利于节能环保，既减轻了二氧化硫的排放又提高了资源的综合利用效率。
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公开(公告)号：CN108500283B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810368127.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种低成本两段还原制备纳米钨粉的方法，属于有色金属制备领域。在第一段以碳作为还原剂，三氧化钨为原料，温度范围在900‑1200℃之间进行缺碳还原，将大部分三氧化钨还原为钨粉，而保留少量的氧以避免碳的残留。第二段在600‑950℃之间用氢气作为还原剂除去第一段制备的预还原钨粉中少量的氧。本发明使用成本较低的碳作为还原剂将氧化钨中的大于90％的氧脱除，仅在第二段中使用极其少量的氢气，既可以避免碳的残留，又能保证钨粉的纯度，并极大的降低生产成本。相比于直接用氢气还原，碳还原氧化钨可以避免气相迁移机理造成的钨粉颗粒长大，从而获得粒度分布均匀的纳米钨粉。本发明制备的钨粉的平均粒度为40‑200纳米；原料成本低，产品纯度高，粒度小，工艺简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN110227826B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201810826127.7
申请日：2018-07-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备高纯纳米钼粉的方法。以三氧化钼或钼酸铵为钼源，将三氧化钼和碳黑按摩尔比1:0.5‑1:2.0配料混匀，制备出碳含量极低的含一定量纳米钼核心的二氧化钼，然后用氢气将含有纳米钼核心的二氧化钼进行还原，即可得到碳含量极低的高纯纳米钼粉。本发明解决了传统使用氢气还原三氧化钼制备二氧化钼和钼粉的过程中难以制备出纳米钼粉的问题。在本发明中，使用较细的炭黑为还原剂，在二氧化钼中生成一定量的分散的纳米钼核心，这些分散的细小的纳米钼核心可以辅助氢气还原二氧化钼生成钼纳米颗粒。本发明制备出的纳米钼粉平均粒度在40‑200nm，碳含量可小于0.01％。本发明原料成本低，产品纯度高，粒度小，工艺简单，生产效率高，适合大规模工业化生产高纯纳米钼粉。
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公开(公告)号：CN110052622A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910470719.4
申请日：2019-05-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钨晶核辅助氢还原二氧化钨制备纳米钨粉的方法，所述方法以二氧化钨为钨源，在其中掺入一定量的纳米钨晶核，然后用氢气将含有纳米钨晶核的二氧化钨在高温下进行还原，制备出纳米钨粉。在传统氢气还原氧化钨制备钨粉的过程中，无法形成大量的分散的钨晶核，导致生成的晶核数量较少，通过气相迁移长成的颗粒较大。本发明工艺简单，制备的钨粉平均粒度在50-500纳米，粒度调控效果好，生产效率高，可以使用现有的工业生成钨粉的设备，适合大规模工业化生产高纯纳米钨粉。
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