-
公开(公告)号：CN117085717B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202210850991.7
申请日：2022-07-19
Applicant: 北京科技大学顺德创新学院
IPC: B01J27/24 , B01J37/08 , C02F1/30 , A61L2/08 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明属于光催化复合材料领域，具体涉及一种K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体材料、其快速合成方法及其在光催化杀菌消毒、降解有机污染物方面的应用。本发明提供的K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体，以二维多孔片层结构K‑C3N4为载体负载零维Bi2WO6量子点。采用离子交换技术进行异质体可控构筑，在原位煅烧过程中实现K‑C3N4与Bi2WO6‑xBrx在水溶液中自发进行离子交换生成KBr，同时K‑C3N4上N缺陷周围的不饱和C原子与Bi2WO6表面悬键氧键合作用使两者界面接触紧密且增加接触面积，并为光生电子提供传输通道，极大的促进光生电子‑空穴对的分离能力。该方法具有简单、快速、有效构筑异质体等优点，所获得的K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体材料具有优异的有机污染物快速低温降解及杀菌性能。
-
公开(公告)号：CN115608380B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210770109.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 北京科技大学顺德研究生院
IPC: B01J27/047 , B01J37/08 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种夹层金属暴露的过渡金属硫化物的制备方法，该方法采用氟掺杂诱导金属暴露的策略，具体先通过一步煅烧得到氟掺杂的硫化物，再利用酸溶液中氢离子与氟的强键合力，去除掺杂的氟原子并暴露出内层的金属原子。通过调控氟掺杂的量，有效调控过渡金属硫化物材料表面金属暴露的比例，制备一系列金属暴露的过渡金属硫化物材料。本发明所实的制备方法、工艺简单、反应条件温和；原料及设备廉价易得，成本低；合成时间短、效率高，适合规模化生产。
-
公开(公告)号：CN114950486B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210427458.X
申请日：2022-04-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: B01J27/043 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种双功能金属活性位光催化剂的制备方法，同时引入金属离子交换和原位光沉积金属单原子，制备了一种具有表面离子掺杂和原子金属锚定位点的光催化剂。一方面，利用表面掺杂的金属离子调节光催化剂的电子结构及光生电荷分离效率，优化析氢活性；另一方面，金属单原子作为光电子传输桥梁吸附并还原溶液中的金属离子，形成金属团簇，在酸性溶液中自发地与溶液中的H+发生置换反应生成H2，实现快速析氢。双功能金属活性位的构筑不仅调节了光催化剂自身的析氢速率，而且突破传统活性位密度的限制，实现了高效光催化水还原制氢。本发明的制备方法工艺简单、反应条件温和；原料及设备廉价易得，成本低；合成效率高，适合规模化生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114950486A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210427458.X
申请日：2022-04-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: B01J27/043 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种双功能金属活性位光催化剂的制备方法，同时引入金属离子交换和原位光沉积金属单原子，制备了一种具有表面离子掺杂和原子金属锚定位点的光催化剂。一方面，利用表面掺杂的金属离子调节光催化剂的电子结构及光生电荷分离效率，优化析氢活性；另一方面，金属单原子作为光电子传输桥梁吸附并还原溶液中的金属离子，形成金属团簇，在酸性溶液中自发地与溶液中的H+发生置换反应生成H2，实现快速析氢。双功能金属活性位的构筑不仅调节了光催化剂自身的析氢速率，而且突破传统活性位密度的限制，实现了高效光催化水还原制氢。本发明的制备方法工艺简单、反应条件温和；原料及设备廉价易得，成本低；合成效率高，适合规模化生产。
-
公开(公告)号：CN110589885B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910961851.5
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种缺陷富集的TiO2纳米片一维多级结构的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述方法包括：取二氧化钛粉末、水、氢氧化钠/氢氧化钾置于反应釜中；超声30min后水热条件下反应，得到缺陷富集的钛酸盐多级纳米片结构；用去离子水将前一步骤得到产物冲洗至溶液PH值等于7，干燥后将该产物放入管式炉中煅烧，得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。应用本发明的方法能够廉价、稳定地得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。本方法条件温和，重复性极好，工艺简单、可控，制得的产物纯度高。
-
公开(公告)号：CN110589885A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910961851.5
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种缺陷富集的TiO2纳米片一维多级结构的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述方法包括：取二氧化钛粉末、水、氢氧化钠/氢氧化钾置于反应釜中；超声30min后水热条件下反应，得到缺陷富集的钛酸盐多级纳米片结构；用去离子水将前一步骤得到产物冲洗至溶液PH值等于7，干燥后将该产物放入管式炉中煅烧，得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。应用本发明的方法能够廉价、稳定地得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。本方法条件温和，重复性极好，工艺简单、可控，制得的产物纯度高。
-
公开(公告)号：CN117085717A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202210850991.7
申请日：2022-07-19
Applicant: 北京科技大学顺德研究生院
IPC: B01J27/24 , B01J37/08 , C02F1/30 , A61L2/08 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明属于光催化复合材料领域，具体涉及一种K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体材料、其快速合成方法及其在光催化杀菌消毒、降解有机污染物方面的应用。本发明提供的K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体，以二维多孔片层结构K‑C3N4为载体负载零维Bi2WO6量子点。采用离子交换技术进行异质体可控构筑，在原位煅烧过程中实现K‑C3N4与Bi2WO6‑xBrx在水溶液中自发进行离子交换生成KBr，同时K‑C3N4上N缺陷周围的不饱和C原子与Bi2WO6表面悬键氧键合作用使两者界面接触紧密且增加接触面积，并为光生电子提供传输通道，极大的促进光生电子‑空穴对的分离能力。该方法具有简单、快速、有效构筑异质体等优点，所获得的K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体材料具有优异的有机污染物快速低温降解及杀菌性能。
-
公开(公告)号：CN115608380A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210770109.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 北京科技大学顺德研究生院
IPC: B01J27/047 , B01J37/08 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种夹层金属暴露的过渡金属硫化物的制备方法，该方法采用氟掺杂诱导金属暴露的策略，具体先通过一步煅烧得到氟掺杂的硫化物，再利用酸溶液中氢离子与氟的强键合力，去除掺杂的氟原子并暴露出内层的金属原子。通过调控氟掺杂的量，有效调控过渡金属硫化物材料表面金属暴露的比例，制备一系列金属暴露的过渡金属硫化物材料。本发明所实的制备方法、工艺简单、反应条件温和；原料及设备廉价易得，成本低；合成时间短、效率高，适合规模化生产。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.014 seconds)
