公开(公告)号：CN116586080A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202210856443.5

申请日：2022-07-19

Applicant: 北京科技大学顺德研究生院

Inventor： 董文钧 ,  李宝珍 ,  王星 ,  汤薇 ,  郭翠萍

IPC: B01J27/04 ,  B01J27/043 ,  B01J27/045 ,  C01B3/04 ,  C02F1/30 ,  A01N59/16 ,  A01P1/00 ,  C02F101/34

Abstract: 本发明公开了一种金属单原子修饰的硫化物光催化材料的制备方法，具体采用有机胺与金属离子配位有效分散金属源，在溶剂热过程中进行硫化并协同有机胺插层将金属单原子稳定于硫化物晶格中，水热反应去掉插层胺后得到单原子修饰的硫化物纳米光催化材料。此合成策略属首次提出，可推广应用于不同金属元素(如Pt、Ru、Ag、Ni)单原子催化剂的合成与制备，且所制备单原子结构稳定，催化活性高。该制备方案反应条件温和，合成效率高，所制备的高活性高稳定性硫化物单原子催化材料在光催化分解水析氢、光催化降解有机污染物苯酚、光催化杀菌等领域具有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN115608380A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210770109.8

申请日：2022-06-30

Applicant: 北京科技大学顺德研究生院

Inventor： 董文钧 ,  王星 ,  李宝珍 ,  周冬雪 ,  薛祥东

IPC: B01J27/047 ,  B01J37/08 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明公开了一种夹层金属暴露的过渡金属硫化物的制备方法，该方法采用氟掺杂诱导金属暴露的策略，具体先通过一步煅烧得到氟掺杂的硫化物，再利用酸溶液中氢离子与氟的强键合力，去除掺杂的氟原子并暴露出内层的金属原子。通过调控氟掺杂的量，有效调控过渡金属硫化物材料表面金属暴露的比例，制备一系列金属暴露的过渡金属硫化物材料。本发明所实的制备方法、工艺简单、反应条件温和；原料及设备廉价易得，成本低；合成时间短、效率高，适合规模化生产。

公开(公告)号：CN115608380B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202210770109.8

申请日：2022-06-30

Applicant: 北京科技大学顺德研究生院

Inventor： 董文钧 ,  王星 ,  李宝珍 ,  周冬雪 ,  薛祥东

IPC: B01J27/047 ,  B01J37/08 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明公开了一种夹层金属暴露的过渡金属硫化物的制备方法，该方法采用氟掺杂诱导金属暴露的策略，具体先通过一步煅烧得到氟掺杂的硫化物，再利用酸溶液中氢离子与氟的强键合力，去除掺杂的氟原子并暴露出内层的金属原子。通过调控氟掺杂的量，有效调控过渡金属硫化物材料表面金属暴露的比例，制备一系列金属暴露的过渡金属硫化物材料。本发明所实的制备方法、工艺简单、反应条件温和；原料及设备廉价易得，成本低；合成时间短、效率高，适合规模化生产。