公开(公告)号：CN103383979B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310172805.X

申请日：2013-05-12

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  李峻野 ,  陈翔 ,  闫小琴 ,  冯亚瀛 ,  冯韵迪 ,  孙国帅 ,  徐佳亮 ,  方思萦

IPC: H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种Si纳米井/ZnO纳米棒阵列二级结构的制备方法，实现了Si纳米井阵列刻蚀技术和ZnO晶体的水热法生长技术的结合，使ZnO纳米棒在Si纳米井中生长，得到了Si纳米井/ZnO纳米棒二级结构。优点在于：可以同时保证材料的光吸收效率和光电转化率；材料的形貌可控，可通过改变工艺参数直接调控结构；原材料成本低，加工工艺成熟、速度快，可实现大面积高密度制备。Si和ZnO以这种方式结合在一起，可以组成高密度图案化排列的Si-ZnO异质结。其成品率高，有利于后续器件应用和产业化开发，所得到的材料可广泛应用于纳米电子学、光电子学、光子学、催化材料和传感器等领域。

公开(公告)号：CN103383979A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310172805.X

申请日：2013-05-12

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  李峻野 ,  陈翔 ,  闫小琴 ,  冯亚瀛 ,  冯韵迪 ,  孙国帅 ,  徐佳亮 ,  方思萦

IPC: H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种Si纳米井/ZnO纳米棒阵列二级结构的制备方法，实现了Si纳米井阵列刻蚀技术和ZnO晶体的水热法生长技术的结合，使ZnO纳米棒在Si纳米井中生长，得到了Si纳米井/ZnO纳米棒二级结构。优点在于：可以同时保证材料的光吸收效率和光电转化率；材料的形貌可控，可通过改变工艺参数直接调控结构；原材料成本低，加工工艺成熟、速度快，可实现大面积高密度制备。Si和ZnO以这种方式结合在一起，可以组成高密度图案化排列的Si-ZnO异质结。其成品率高，有利于后续器件应用和产业化开发，所得到的材料可广泛应用于纳米电子学、光电子学、光子学、催化材料和传感器等领域。

公开(公告)号：CN103159165A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310084389.8

申请日：2013-03-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  冯亚瀛 ,  陈翔 ,  李峻野 ,  方思萦 ,  徐佳亮 ,  孙国帅 ,  冯韵迪 ,  闫小琴

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种制备图案化硅纳米井阵列的方法，该方法采用三光束激光干涉光刻技术与金属催化刻蚀技术的结合来实现。本发明可以大面积制备图案化规则排列的硅纳米井阵列，而且还能实现阵列结构周期，纳米井直径，纳米井深度的精确调节。通过改变三光束曝光条件得到不同尺寸光刻胶模板，可以调控纳米井阵列的结构单元周期与结构单元大小；通过控制刻蚀时间，可以调节纳米井的深度。本发明除能够大面积制备，调节纳米井阵列之外，还有如下特点：系统简单，成本低廉；加工速度快，适合批量生产；成品率高，而且成品通过简单加工可实现不同作用。