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公开(公告)号：CN108329443B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201711375700.9
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
IPC: C08F293/00 , C08F212/14 , C08F230/08 , C08F220/32 , C08F220/20 , G03F7/00
Abstract: 本发明高分子化合物合成与应用，具体地，本发明涉及可用于定向自组装的具有高弗洛里赫金斯参数χ的嵌段聚合物及无规聚合物及其制备方法和自组装方法。嵌段聚合物通过阴离子聚合得到，嵌段之间弗洛里赫金斯参数(Flory‑Huggins)极大，且相容性极低；无规聚合物由所述嵌段聚合物的单体和环氧甲基丙烯酸酯类单体通过自由基聚合得到，该类无规聚合物对上述嵌段聚合物的嵌段呈中性。本发明的嵌段聚合物，涂布于交联后的无规聚合物中性层上后经过退火热处理就能形成垂直于基片的相分离结构，生产效率提高；且能形成20nm以下尺寸范围的图案；同时，本发明提供的嵌段聚合物和无规聚合物应用于微电子领域图案的转以上，降低了其工艺要求及生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108329443A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201711375700.9
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
IPC: C08F293/00 , C08F212/14 , C08F230/08 , C08F220/32 , C08F220/20 , G03F7/00
Abstract: 本发明高分子化合物合成与应用，具体地，本发明涉及可用于定向自组装的具有高弗洛里赫金斯参数χ的嵌段聚合物及无规聚合物及其制备方法和自组装方法。嵌段聚合物通过阴离子聚合得到，嵌段之间弗洛里赫金斯参数(Flory-Huggins)极大，且相容性极低；无规聚合物由所述嵌段聚合物的单体和环氧甲基丙烯酸酯类单体通过自由基聚合得到，该类无规聚合物对上述嵌段聚合物的嵌段呈中性。本发明的嵌段聚合物，涂布于交联后的无规聚合物中性层上后经过退火热处理就能形成垂直于基片的相分离结构，生产效率提高；且能形成20nm以下尺寸范围的图案；同时，本发明提供的嵌段聚合物和无规聚合物应用于微电子领域图案的转以上，降低了其工艺要求及生产成本。
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公开(公告)号：CN107586370B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201710737408.0
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
IPC: C08F297/02 , C08F212/36 , C08F220/24 , C08F220/32 , C08F220/18 , G03F7/00
Abstract: 本发明高分子化合物合成与应用，具体地，本发明涉及可用于定向自组装的嵌段聚合物及无规聚合物及其制备方法和自组装方法。嵌段聚合物通过阴离子聚合得到且嵌段之间不具有相容性；由所述嵌段聚合物的单体和环氧甲基丙烯酸酯类单体通过自由基聚合得到，该类无规聚合物对上述嵌段聚合物的嵌段呈中性。本发明的嵌段聚合物，涂布于交联后的无规聚合物中性层上后无需退火热处理就能形成垂直于基片的相分离结构，生产效率提高；且能形成20~100nm尺寸范围的图案，形成图案的尺寸范围扩大；同时，本发明提供的嵌段聚合物和无规聚合物应用于微电子领域图案的转以上，降低了其工艺要求及生产成本。
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公开(公告)号：CN107586370A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710737408.0
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司
IPC: C08F297/02 , C08F212/36 , C08F220/24 , C08F220/32 , C08F220/18 , G03F7/00
Abstract: 本发明高分子化合物合成与应用，具体地，本发明涉及可用于定向自组装的嵌段聚合物及无规聚合物及其制备方法和自组装方法。嵌段聚合物通过阴离子聚合得到且嵌段之间不具有相容性；由所述嵌段聚合物的单体和环氧甲基丙烯酸酯类单体通过自由基聚合得到，该类无规聚合物对上述嵌段聚合物的嵌段呈中性。本发明的嵌段聚合物，涂布于交联后的无规聚合物中性层上后无需退火热处理就能形成垂直于基片的相分离结构，生产效率提高；且能形成20~100nm尺寸范围的图案，形成图案的尺寸范围扩大；同时，本发明提供的嵌段聚合物和无规聚合物应用于微电子领域图案的转以上，降低了其工艺要求及生产成本。
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公开(公告)号：CN118725303A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410934154.1
申请日：2024-07-11
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 上海清华国际创新中心 , 北京科华微电子材料有限公司
IPC: C08G77/26 , C08G77/06 , C09D183/08
Abstract: 本发明涉及抗反射涂层技术领域，尤其是涉及一种硅氧烷低聚物及其制备方法和抗反射涂料组合物。本发明提供的一种硅氧烷低聚物，主要由化合物A、化合物B、化合物C、催化剂和溶剂反应，得到所述硅氧烷低聚物；其中，所述化合物A包括甲基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷和丙基三甲氧基硅烷中的任一种；所述化合物B包括2‑(3,4‑环氧环已基)乙基三甲氧基硅烷或3‑(2,3‑环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷；所述化合物C包括含有发色团的硅氧烷。本发明的硅氧烷低聚物的结构中含有发色团和极性基团；采用含有该硅氧烷低聚物的抗反射涂料组合物制得的抗反射涂层，具有较好的留膜率，且光刻胶中的小分子不易向其中扩散，形貌良好。
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公开(公告)号：CN118894880A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410933283.9
申请日：2024-07-11
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 上海清华国际创新中心 , 北京科华微电子材料有限公司
IPC: C07F7/18
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种含有发色团的硅氧烷的制备方法。本发明提供的一种含有发色团的硅氧烷的制备方法，包括如下步骤：含有异氰酸根的硅氧烷与含有活泼氢和发色团的化合物反应得到所述含有发色团的硅氧烷。本发明提供的含有发色团的硅氧烷的制备方法，通过利用异氰酸根和活泼氢之间的高反应活性，合成了含有发色团的硅氧烷；通过该制备方法合成的含有发色团的硅氧烷纯度高，后处理步骤更加简单，且不存在合成的含有发色团的硅氧烷单体聚合的问题。
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