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公开(公告)号：CN114421112A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210059307.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，包括完全相同的三个片上混合型差分正交耦合器，即片上混合型差分正交耦合器A、片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C；所述片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C均由片上混合型差分正交耦合器A平移得到，并且所述片上混合型差分正交耦合器B与片上混合型差分正交耦合器C呈轴对称分布。本发明的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络中采用级联混合型差分正交耦合器的方式，使用相对较小的芯片面积实现适用于超宽带差分信号处理电路的正交耦合器，集成度高，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114257212B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111572960.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种双调幅电路及可变增益移相器，该双调幅电路通过第一可调电流源和第二可调电流源调节输入级的电流，通过第三可调电流源、第四可调电流源调节中间级的电流，能够实现两种角度的幅度调节，增大电路的幅度调制范围，提高调制精度。本发明的可变增益移相器，基于有源矢量合成结构，通过采用上述的双调幅电路，用一个模块替代传统相控阵系统中的移相器和衰减器两个模块，实现幅度和相位的高精度调制，显著减少相控阵系统的元器件个数，能够有效解决相控阵芯片面积大、成本高的问题。
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公开(公告)号：CN114421112B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210059307.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，包括完全相同的三个片上混合型差分正交耦合器，即片上混合型差分正交耦合器A、片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C；所述片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C均由片上混合型差分正交耦合器A平移得到，并且所述片上混合型差分正交耦合器B与片上混合型差分正交耦合器C呈轴对称分布。本发明的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络中采用级联混合型差分正交耦合器的方式，使用相对较小的芯片面积实现适用于超宽带差分信号处理电路的正交耦合器，集成度高，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114257212A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111572960.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种双调幅电路及可变增益移相器，该双调幅电路通过第一可调电流源和第二可调电流源调节输入级的电流，通过第三可调电流源、第四可调电流源调节中间级的电流，能够实现两种角度的幅度调节，增大电路的幅度调制范围，提高调制精度。本发明的可变增益移相器，基于有源矢量合成结构，通过采用上述的双调幅电路，用一个模块替代传统相控阵系统中的移相器和衰减器两个模块，实现幅度和相位的高精度调制，显著减少相控阵系统的元器件个数，能够有效解决相控阵芯片面积大、成本高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115509489A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211299786.2
申请日：2022-10-24
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F7/52
Abstract: 本发明属于集成电路以及电路运算模块设计技术领域，涉及一种基于电流镜结构的超低功耗模拟乘除法器。所述乘除法器依托于电流镜结构，包括相连的除法器模块和乘法器模块；所述除法器模块，包括N个除法单元且每个除法单元包括除法第１PMOS管、除法第2 PMOS管、除法第1开关和除法第2开关；所述乘法器模块，包括K个乘法单元且每个乘法单元包括乘法第１PMOS管、乘法第2 PMOS管、乘法第1开关和乘法第2开关；所述除法单元和乘法单元分别包括开启单元及关闭单元；输入电流信号经过除法开启单元和乘法开启单元，最后输出乘除法运算后的结果。所述乘除法器采用电流镜结构，功率低、效率高且可适用于存算一体结构，降低复杂度。
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公开(公告)号：CN104935269B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510406535.3
申请日：2015-07-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种射频放大器增益的温度补偿方法和系统，目的在于解决射频放大器因环境温度变化而引起的增益变化问题，属于集成电路技术领域。该方法首先得到使射频放大器增益恒定的偏置电流温度曲线，将该曲线分成N个温度段，在每个温度段内用随温度线性变化的电流曲线拟合，利用滞迴比较的方法选择对应的随温度线性变化的电流曲线，并组合得到一条完整的拟合曲线，然后按照该拟合曲线设计射频放大器的偏置电路。依照该方法设计的温度补偿系统，可以根据环境温度的变化自动地补偿射频放大器的增益，从而维持射频放大器的增益稳定。
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公开(公告)号：CN119210353A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202211565580.X
申请日：2022-12-07
Applicant: 北京理工大学
IPC: H03D7/12
Abstract: 本发明属于射频集成电路和混频器技术领域，涉及一种采用二阶交调校准的CMOS零中频混频器。所述混频器改进吉尔伯特单元的结构，包括吉尔伯特单元、一对PMOS管及校准电路；一对PMOS管用于降低闪烁失真，所述校准电路位于吉尔伯特单元负载及输出端，通过调制负载电阻大小校准二阶交调，将多种影响二阶交调失真的因素通过调制负载电阻进行等价替换，将一侧负载电阻使用一个k‑bit电阻调制模块来替代，k位于3到10之间。所述混频器解决了多因素导致双平衡混频器电路失配问题并有效降低了二阶交调失真；降低了闪烁噪声、提高射频端与本振端的隔离度、减小本振泄漏以及直流失调，同时也简化了电路操作难度，有效提升了电路性能。
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公开(公告)号：CN115425950A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210981258.9
申请日：2022-08-16
Applicant: 北京理工大学
IPC: H03K3/84
Abstract: 本发明涉及一种基于热噪声熵源的三值真随机数发生器，属于密码学、信息安全以及集成电路设计技术领域。所述发生器中熵源电路包括两个PMOS管和两个电阻；熵识别电路包括两个差分放大器、两个比较器、两个反相器、两个触发器；后处理电路包括异或门、第3、第4PMOS管、两个NMOS管和第3电阻。两个电阻把热噪声传给两个差分放大器，差分放大器再传给比较器，两个比较器把结果通过反相器传递给D触发器，D触发器传给异或门和两个NMOS管的栅极，异或门把结果取非后传给第3、第4PMOS管的栅极，控制第3电阻输出3值时序序列。所述发生器采用自然熵源生成三值真随机数，更适用于复杂加密系统且提高了随机数的随机性。
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公开(公告)号：CN104935269A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510406535.3
申请日：2015-07-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种射频放大器增益的温度补偿方法和系统，目的在于解决射频放大器因环境温度变化而引起的增益变化问题，属于集成电路技术领域。该方法首先得到使射频放大器增益恒定的偏置电流温度曲线，将该曲线分成N个温度段，在每个温度段内用随温度线性变化的电流曲线拟合，利用滞迴比较的方法选择对应的随温度线性变化的电流曲线，并组合得到一条完整的拟合曲线，然后按照该拟合曲线设计射频放大器的偏置电路。依照该方法设计的温度补偿系统，可以根据环境温度的变化自动地补偿射频放大器的增益，从而维持射频放大器的增益稳定。
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