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公开(公告)号：CN111392689B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010153880.1
申请日：2020-03-05
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种金黑图形化的方法，属于微纳加工领域和红外探测领域。本方法在清洁干净的衬底上溅射一层金黑薄膜。再在金黑薄膜上旋涂聚酰亚胺溶液后，置于烘箱中烘干并自然降至室温。在聚酰亚胺薄膜层上制备光刻胶层。使用紫外曝光、显影工艺制作出光刻胶掩膜层。去除未被光刻胶覆盖的区域。刻蚀结束后，去除光刻胶，完成金黑图形化工艺。本发明使用聚酰亚胺薄膜层和金黑薄膜层结合的方法，可以有效地提高金黑薄膜的机械稳定性，使金黑薄膜能够经受溶液浸泡、氮气吹拂和超声震荡等操作；通过本发明所述的方法可以制作出图形化精度更高、机械性能更稳定、可兼容其他微纳加工工艺的金黑薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111777030A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010673998.7
申请日：2020-07-14
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用于无人驾驶决策模拟训练的光学下转换芯片及制备方法，属于无人驾驶技术领域和红外场景投影技术领域。本发明提出的光学下转换芯片可以实现较大的阵列规模(2000×2000以上)，因此红外图像的分辨率会得到较大的提升；使用了硅片作为芯片的基底，可以克服转换薄膜机械性能较差的缺点，同时提升了芯片的图像刷新频率；通过在基底上制作出隔离缝隙实现阵列单元间的传热隔离，从而大幅降低阵列单元间的串扰；通过在辐射层下制作出凹槽可以有效地控制散热速度；该制作流程仅需一块用于光刻的掩膜版，无需多次光刻和套刻，工艺简单。
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公开(公告)号：CN111777030B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202010673998.7
申请日：2020-07-14
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用于无人驾驶决策模拟训练的光学下转换芯片及制备方法，属于无人驾驶技术领域和红外场景投影技术领域。本发明提出的光学下转换芯片可以实现较大的阵列规模(2000×2000以上)，因此红外图像的分辨率会得到较大的提升；使用了硅片作为芯片的基底，可以克服转换薄膜机械性能较差的缺点，同时提升了芯片的图像刷新频率；通过在基底上制作出隔离缝隙实现阵列单元间的传热隔离，从而大幅降低阵列单元间的串扰；通过在辐射层下制作出凹槽可以有效地控制散热速度；该制作流程仅需一块用于光刻的掩膜版，无需多次光刻和套刻，工艺简单。
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公开(公告)号：CN112613173B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202011504047.3
申请日：2020-12-18
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开一种金黑薄膜吸收率计算模拟方法，包括：步骤S1、根据预设参数构建金黑模型，所述金黑模型由多个团簇组成，所述团簇之间均匀分布，且所述团簇内部的金黑粒子呈现高斯分布；步骤S2、根据所述团簇入射光的反射率和透过率，计算所述金黑模型的吸收率；步骤S3、调整所述团簇间的排布方式，直至所述吸收率与实验结果的误差达到预期标准。采用本发明的技术方案，可为金黑薄膜的设计提供理论参考依据。
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公开(公告)号：CN111392689A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010153880.1
申请日：2020-03-05
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种金黑图形化的方法，属于微纳加工领域和红外探测领域。本方法在清洁干净的衬底上溅射一层金黑薄膜。再在金黑薄膜上旋涂聚酰亚胺溶液后，置于烘箱中烘干并自然降至室温。在聚酰亚胺薄膜层上制备光刻胶层。使用紫外曝光、显影工艺制作出光刻胶掩膜层。去除未被光刻胶覆盖的区域。刻蚀结束后，去除光刻胶，完成金黑图形化工艺。本发明使用聚酰亚胺薄膜层和金黑薄膜层结合的方法，可以有效地提高金黑薄膜的机械稳定性，使金黑薄膜能够经受溶液浸泡、氮气吹拂和超声震荡等操作；通过本发明所述的方法可以制作出图形化精度更高、机械性能更稳定、可兼容其他微纳加工工艺的金黑薄膜。
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公开(公告)号：CN112613173A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011504047.3
申请日：2020-12-18
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开一种金黑薄膜吸收率计算模拟方法，包括：步骤S1、根据预设参数构建金黑模型，所述金黑模型由多个团簇组成，所述团簇之间均匀分布，且所述团簇内部的金黑粒子呈现高斯分布；步骤S2、根据所述团簇入射光的反射率和透过率，计算所述金黑模型的吸收率；步骤S3、调整所述团簇间的排布方式，直至所述吸收率与实验结果的误差达到预期标准。采用本发明的技术方案，可为金黑薄膜的设计提供理论参考依据。
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