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公开(公告)号:CN103353380B
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201310309389.3
申请日:2013-07-22
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01M3/04 , G01N21/3504 , G02B5/20
Abstract: 本发明公开了一种阿基米德螺旋线推扫滤光差分气体泄漏红外成像方法,适用于红外焦平面探测器,包括如下具体步骤:1,设计包括背景滤光片、泄漏气体滤光片以及两片挡光片的阿基米德螺旋线滤光盘;滤光片和挡光片交替布设;2,利用该滤光盘推扫探测器,获得泄漏气体图像、背景图像和挡光图像A、B;3,将泄漏气体图像分别与A和B差分,差分结果取平均为去除盲元的泄漏气体图像;将背景图像分别与A和B差分,差分结果取平均为去除盲元的背景图像;4,使用A和B计算非均匀校正模型,对3中结果进行非均匀性校正;5,将校正后的泄漏气体图像和背景图像进行差分运算,获得最终图像。本发明适用于泄漏气体的差分红外成像。
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公开(公告)号:CN103353380A
公开(公告)日:2013-10-16
申请号:CN201310309389.3
申请日:2013-07-22
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种阿基米德螺旋线推扫滤光差分气体泄漏红外成像方法,适用于红外焦平面探测器,包括如下具体步骤:1,设计包括背景滤光片、泄漏气体滤光片以及两片挡光片的阿基米德螺旋线滤光盘;滤光片和挡光片交替布设;2,利用该滤光盘推扫探测器,获得泄漏气体图像、背景图像和挡光图像A、B;3,将泄漏气体图像分别与A和B差分,差分结果取平均为去除盲元的泄漏气体图像;将背景图像分别与A和B差分,差分结果取平均为去除盲元的背景图像;4,使用A和B计算非均匀校正模型,对3中结果进行非均匀性校正;5,将校正后的泄漏气体图像和背景图像进行差分运算,获得最终图像。本发明适用于泄漏气体的差分红外成像。
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公开(公告)号:CN103594498B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201310642530.1
申请日:2013-12-03
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L29/43 , H01L29/45 , H01L29/786
Abstract: 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理,提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和锰氧化物复合层,金属层采用金属铜(Cu);锰氧化物在金属铜层和铟镓锌氧化物层之间,增加铜层和铟镓锌氧化物层的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化物层扩散。本发明中提出的透明导电薄膜用作IGZO TFT的源极、漏极和栅极时,透明导电薄膜能够与IGZO TFT的有源层形成接触电阻低的欧姆接触,并且使IGZO TFT具有良好的透光性和电特性。
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公开(公告)号:CN103594498A
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:CN201310642530.1
申请日:2013-12-03
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L29/43 , H01L29/45 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908
Abstract: 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理,提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZOTFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和锰氧化物复合层,金属层采用金属铜(Cu);锰氧化物在金属铜层和铟镓锌氧化物层之间,增加铜层和铟镓锌氧化物层的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化物层扩散。本发明中提出的透明导电薄膜用作IGZOTFT的源极、漏极和栅极时,透明导电薄膜能够与IGZOTFT的有源层形成接触电阻低的欧姆接触,并且使IGZOTFT具有良好的透光性和电特性。
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