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公开(公告)号：CN107858145A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711370042.4
申请日：2017-12-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京理工大学
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/605
Abstract: 本发明提供量子点及其合成方法。该量子点的合成方法包括：步骤(a)、在第一容器中加入铜源、铁源、第一锌源、第一有机溶剂和第一配位体，在保护气体气氛下，加热至铜源、铁源、第一锌源溶解于第一有机溶剂和第一配位体中，然后加入与铜源、铁源、第一锌源具有反应性的硫源，进行反应，而得到具有量子点核的第一反应溶液，步骤(b)、在第二容器中加入第二锌源、第二有机溶剂和第二配位体，加热至第二锌源溶解于第二有机溶剂和第二配位体中，得到第二反应溶液，步骤(c)、将来自于步骤(b)的第二反应溶液加入至步骤(a)的第一反应溶液中，得到含有量子点的溶液。由于量子点的合成方法使用成本低的铁元素，因此合成成本低。
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公开(公告)号：CN104614889B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510018677.2
申请日：2015-01-14
Applicant: 北京理工大学
IPC: G02F1/1333
Abstract: 本发明公开了一种利用疏水、亲水表面进行PI高厚度自组装涂覆的方法，通过在面板的非显示区域制造粗糙结构或利用高表面能物质进行表面修饰提高非显示区域的疏水性，并采用将面板沉浸在溶液槽或利用喷嘴刮涂的方式涂覆PI液，本发明的有益效果在于，通过在非显示区域制造疏水结构，而显示区域保持亲水结构从而实现PI液的自组装涂覆，并且本发明采用沉浸式或刮涂式的方法进行PI液涂覆，与传统的使用转印版涂覆PI液的方法相比，不会受到转印版的限制，节省了成本，而且可以实现高厚度PI的涂覆，可有效的提升产线良率。
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公开(公告)号：CN106887386A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611226821.2
申请日：2016-12-27
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 本发明主要属于半导体基板加工工艺领域，具体涉及准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法。利用图案化使薄膜形成桥式结构，利用准分子激光退火使非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。此方法形成的多晶硅薄膜用做多晶硅薄膜晶体管的有源层，可有效降低晶体管关态漏电流，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN101162271A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710177833.5
申请日：2007-11-21
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种旋转监控片的光学薄膜自动监控装置，涉及一种薄膜产品制备过程中的监控设备。本发明包括：光源发射系统、驱动电机、工件架、晶控仪探头、监控片旋转机构、信号接收系统、信号转换系统、晶控仪、计算机、真空室和监控片。监控片旋转机构和晶控仪探头设置在真空室内，光源发射系统发出光信号，入射到真空室内，在监控片上形成光斑，由信号接收系统接收后，经过信号转换和计算机处理，监控薄膜厚度，控制材料的蒸发速率。本发明采用把监控片旋转机构设计成内环和外环，中间采用细钢丝连接，这样的结构避免了监控片旋转时对晶控仪探头的遮挡，实现了旋转监控片状态下的光控系统和晶控仪对镀膜过程的联动控制。
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公开(公告)号：CN115763253A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211267786.4
申请日：2022-10-17
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12 , H10K59/12
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管TFT及改善OLED显示残像的方法，包括：确定薄膜晶体管TFT的基底为柔性基底；检测基底的水氧阻隔层与基底之间的接触处对TFT稳定性的影响，并优化水氧阻隔层与所述基底间的接触界面；检测所述TFT的栅绝缘层与有源层间的界面对TFT稳定性的影响，并优化栅绝缘层与有源层间的界面；验证优化后的TFT的稳定性，检测基底和水氧阻隔层电容的变化，优化TFT的制备工艺。本发明结合半导体制造技术，在有源驱动层面，从根本上检测由薄膜晶体管造成的TFT不稳定性，进而导致OLED残像现象的原因。本发明通过设置检测界面和膜层等对TFT稳定性的影响，并据此改善界面和膜层，达到缓解OLED显示残像的目的，进一步实现提升OLED显示器的性能和延长OLED显示寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113671741A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110963328.3
申请日：2021-08-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: G02F1/1333 , G02F1/167 , G02F1/1675 , G02F1/1685 , G09G3/34 , G09G3/36
Abstract: 本发明提供了一种电子纸与液晶切换显示装置及方法，涉及电子显示技术领域，能够根据需要实现电子纸显示和液晶显示之间的切换或两者结合显示，有效减小功耗、提高色域；该显示装置包括依次叠置且能够实现液晶显示的：上基板，包括：带有黑矩阵的滤光片；液晶层，通过改变液晶分子的排列方式控制入射和出射的光能量；下基板；以及背光层；所述下基板和所述背光层之间设有带有电子墨水且能够在电场驱动下实现墨水粒子在黑矩阵区域和透光区域之间横向位移的电泳层。本发明提供的技术方案适用于电子显示的过程中。
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公开(公告)号：CN107134412B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710179475.5
申请日：2017-03-23
Applicant: 北京理工大学
Inventor： 喻志农
IPC: H01L21/336 , H01L29/417 , H01L21/3213 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及半导体加工制造领域，公开一种源漏电极及其过孔刻蚀工艺，工艺为：在Poly表面ILD孔位置正下方首先形成Mo金属图案，实现先干刻ILD层、GI层非金属薄膜，再湿刻去除Poly表面的Mo金属层,完成ILD孔刻蚀，最终Sputter形成源漏电极。由于湿刻方法具有高选择比的优点，Poly表面未受到原有工艺中干刻所造成的破坏，同时ILD孔径略小于Mo技术图案，S/D电极在Poly表面层接触面积扩展，在此基础上形成的S/D电极与Poly接触电阻能够明显减小，能够实现高PPI产品中形成的S/D电极和Poly接触电阻大幅度减小，避免高PPI产品中TFT由于线宽减小搭接电阻过大造成的电学性能下降问题。
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公开(公告)号：CN107065429A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710376126.2
申请日：2017-05-25
Applicant: 北京理工大学
IPC: G03F1/26
CPC classification number: G03F1/26
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点的掩模，包括基板、图形层以及防尘膜：图形层中的图形区域为量子点膜或者不透光材料膜；图形层中的透光区域为空或者为与图形区域不同波长的量子点膜；防尘膜为单纯防尘膜或者量子点膜形成的防尘膜；本发明主要使用量子点技术制作光刻掩膜，在消除杂散光线的同时，降低由于掩膜版厚度造成的光线散射，降低非曝光区域的光刻胶影响，实现更加精确的曝光；该掩模主要应用在TFT LCD光刻工艺中，能够实现更加精密的布线，在不改动设备的前提下，最大化的利用设备，实现高精度曝光，制作出更加精密的TFT LCD面板；在同样的工艺流程下，通过不追加千万级的设备改造投资，也可以实现同样的曝光精度，使得产品边际效益大幅度提升。
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公开(公告)号：CN117425383A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311262743.1
申请日：2023-09-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于柔性OLED设计领域，具体涉及一种间隔条纹状柔性基板及其制备方法。所述制备方法包括制备PI混合液并将PI混合液均匀涂抹在基板上，对干燥后基板上的PI混合液进行激光照射，调节激光束路径使PI形成间隔条纹，得到间隔条纹状柔性基板，本发明通过激光对PI衬底进行图案化，本文提出的条纹状基板结构可以控制拉伸过程中的应力位移分配，将形变位移集中分配在导线连接区，来缓解显示器件承受的形变，本发明进一步提出在间隔条纹状柔性基板上进行薄膜晶体管TFT的制作，基于得到的薄膜晶体管TFT，通过测量拉伸0.5倍位移前后阈值电压的偏移量、开关比电学性能，可以实现抗拉伸性能的量化。
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公开(公告)号：CN107154405B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710322780.5
申请日：2017-05-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了金属自容触控基板的过孔刻蚀方法，在不增加额外工艺过程的前提下，通过变更掩膜结构或者变更TFT(薄膜场效应晶体管)结构，改善金属自容触控基板触控过孔搭接不良的问题。方案一是通过改变掩膜板的结构，即在掩膜版上用于加工触控过孔的图形与触控绑定金属之间设置设定厚度的光刻胶，使栅线过孔和触控过孔同时被刻蚀成型，从而避免两种类型过孔过大的厚度差异会造成过孔成型不良。另一种方案是通过在触控绑定金属底层放置数据线金属缓冲层，改善现有触控过孔过刻导致搭接不良的现象。
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