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公开(公告)号：CN102306511A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110256193.3
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京理工大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明提出了一种高输出能量的复合同位素电池及其制备方法，属于微机电系统中的能源领域。本发明的结构包括：液体半导体、放射性同位素金属、PN结。制备步骤为：先制作液体半导体；在液体半导体四周覆盖放射性同位素金属作为其外壳，形成基于肖特基势垒的液体半导同位素微电池；在液体半导同位素微电池外壳上覆盖PN结，形成基于β福特效应的同位素微电池；将液体半导同位素微电池和同位素微电池串联或并联后封装，形成一种高输出能量的复合同位素电池。该方法能够充分利用放射性同位素的辐射能，从而使复合同位素微电池的能量密度高，输出能量成倍提高。并且该方法制作工艺简单，成本较低，输出稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024879A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010534725.0
申请日：2010-11-03
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种降低砷化镓同位素电池暗电流的方法，属于微机电系统中的能源领域。本发明的方法首先在砷化镓同位素微电池上刻蚀隔离槽作为电池耗尽区，采用PECVD技术对隔离槽蒸渡SiO2钝化层，电池边缘钝化层要能覆盖电池耗尽区；然后加工同位素微电池导电电极，采用PECVD技术在电池表层蒸渡SiO2钝化层；最后在砷化镓同位素微电池隔离槽中心位置进行刻蚀辅助电极槽，加工辅助电极。本发明的方法操作简单，成本低，工艺稳定，通过半导体的钝化，以及利用辅助电极结构形成肖特基势垒，有效降低砷化镓同位素微电池的暗电流，进而增大开路电压，提高输出效率。本发明的方法也适用于具有类似钝化思路的其它同位素电池。
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公开(公告)号：CN102306511B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110256193.3
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京理工大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明提出了一种高输出能量的复合同位素电池及其制备方法，属于微机电系统中的能源领域。本发明的结构包括：液体半导体、放射性同位素金属、PN结。制备步骤为：先制作液体半导体；在液体半导体四周覆盖放射性同位素金属作为其外壳，形成基于肖特基势垒的液体半导同位素微电池；在液体半导同位素微电池外壳上覆盖PN结，形成基于β福特效应的同位素微电池；将液体半导同位素微电池和同位素微电池串联或并联后封装，形成一种高输出能量的复合同位素电池。该方法能够充分利用放射性同位素的辐射能，从而使复合同位素微电池的能量密度高，输出能量成倍提高。并且该方法制作工艺简单，成本较低，输出稳定。
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公开(公告)号：CN102097148B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010534724.6
申请日：2010-11-03
Applicant: 北京理工大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明涉及一种砷化镓基多结同位素微电池，属于微机电系统中能源领域。本发明包括两个或两个以上的单结砷化镓基同位素微电池，每两个单结砷化镓基同位素微电池之间通过隧道结相连，多结同位素微电池的表面采用SiO2钝化；其结构表达式为：单结砷化镓基同位素微电池/隧道结/单结砷化镓基同位素微电池/隧道结/…/单结砷化镓基同位素微电池/衬底。本发明利用多层PN结结构来提高同位素微电池的开路电压，弥补电池收集电荷能力的不足，从而提高同位素微电池的能量转换效率，扩展了能量的选择范围，使得电池的输出功率大大提高，其可使用的领域更加广泛。
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公开(公告)号：CN102024879B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010534725.0
申请日：2010-11-03
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种降低砷化镓同位素电池暗电流的方法，属于微机电系统中的能源领域。本发明的方法首先在砷化镓同位素微电池上刻蚀隔离槽作为电池耗尽区，采用PECVD技术对隔离槽蒸渡SiO2钝化层，电池边缘钝化层要能覆盖电池耗尽区；然后加工同位素微电池导电电极，采用PECVD技术在电池表层蒸渡SiO2钝化层；最后在砷化镓同位素微电池隔离槽中心位置进行刻蚀辅助电极槽，加工辅助电极。本发明的方法操作简单，成本低，工艺稳定，通过半导体的钝化，以及利用辅助电极结构形成肖特基势垒，有效降低砷化镓同位素微电池的暗电流，进而增大开路电压，提高输出效率。本发明的方法也适用于具有类似钝化思路的其它同位素电池。
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公开(公告)号：CN102097148A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010534724.6
申请日：2010-11-03
Applicant: 北京理工大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明涉及一种砷化镓基多结同位素微电池，属于微机电系统中能源领域。本发明包括两个或两个以上的单结砷化镓基同位素微电池，每两个单结砷化镓基同位素微电池之间通过隧道结相连，多结同位素微电池的表面采用SiO2钝化；其结构表达式为：单结砷化镓基同位素微电池/隧道结/单结砷化镓基同位素微电池/隧道结/…/单结砷化镓基同位素微电池/衬底。本发明利用多层PN结结构来提高同位素微电池的开路电压，弥补电池收集电荷能力的不足，从而提高同位素微电池的能量转换效率，扩展了能量的选择范围，使得电池的输出功率大大提高，其可使用的领域更加广泛。
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