公开(公告)号：CN105924176A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610261949.6

申请日：2016-04-25

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 李云凯 ,  程兴旺 ,  侯桂芹 ,  孙川 ,  杭晓聪

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/563 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明涉及一种碳化硼基复相陶瓷及其放电等离子烧结制备方法，属于复相陶瓷材料制备领域。所述复相陶瓷原料组成及质量百分数如下：铝15～25％，氧化硼20～35％，石墨1.7～3％，碳化硼40％～62％。所述方法如下：将原料进行球磨混合、干燥和过筛，制成混合粉体；采用放电等离子体烧结技术，将混合粉体放入石墨模具，在真空下从室温开始加热、加压，加压至35～45MPa，保持压力至烧结结束，以100℃/min升温至1600～1850℃烧结，保温5～30min；烧结结束，脱模，得到所述复相陶瓷。所述复相陶瓷制备成本较低、致密度高，力学性能好。

公开(公告)号：CN105924177A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610262485.0

申请日：2016-04-25

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 李云凯 ,  程兴旺 ,  侯桂芹 ,  孙川 ,  杭晓聪

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/65 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/563 ,  C04B35/645 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明涉及一种碳化硼基复相陶瓷的热压‑反应烧结制备方法，属于复相陶瓷材料制备领域。原料中各成分比例如下：铝15～25％，氧化硼20～35％，石墨1.2～3％，碳化硼40～62％；所述方法为：将原料依次加入，然后进行球磨混合、干燥和过筛，制成混合粉体；将混合粉放入石墨模具进行热压‑反应烧结，通氩气或氮气，≤1000℃升温速率为18～22℃/min；＞1000℃升温速率为13～18℃/min；升至1300～1400℃施加压力至35～40MPa，保持压力至烧结结束；升温至1600～1800℃保温20～40min，烧结结束脱模得到所述复相陶瓷。所述方法烧结效率高，烧结温度低；制得的复相陶瓷致密度高，力学性能好。