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公开(公告)号：CN100497721C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510109269.4
申请日：2005-10-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种预处理的光学镀膜材料及其预处理方法。该方法包括：(1)选用光学镀膜材料的原料粉体；(2)在温度为700～1400℃，压力为10～40MPa条件下制备素坯；(3)在高温烧结炉中烧结，在烧结温度900～1800℃条件下恒温烧结2～4小时，制备坯体；(4)将坯体严格按照镀膜机坩埚的尺寸加工成型；(5)在还原气氛炉中，在温度为1000～1700℃条件下，进行脱气处理2～6小时，即为预处理的光学镀膜材料。所得到TiO2预处理的光学镀膜材料，其相对密度达到99%，氧含量为39.8%，失氧率为6%，按化学计量拟合其分子式为TiO1.979。预处理的光学镀膜材料具有以下特点：1)高度致密化，相对密度达到90%以上，有些接近材料的理论密度；2)对于高折射率氧化物光学镀膜材料，通过本发明的工艺方法进行特定处理失去部分晶格氧。
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公开(公告)号：CN1951873A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510109055.7
申请日：2005-10-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/645 , B28B3/04
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸陶瓷溅射靶材的热压烧结成型方法，其方法步骤如下：A)称取制作靶材的粉体原料；B)按制作靶材的直径要求选定同直径的模具；C)将模具放进上加压、固定下压头基准面的热压炉炉体中；D)采用振动漏斗法装料，测量并保证模具内各局部的粉体堆积高度相同；E)热压并附加保护气氛，启动压机，开始加压，使上压头开始下移，在温度650℃～2100℃、压力15～40Mpa环境下保温保压20min－60min，直至靶材相对密度达到设计值；F)采用附加保压工艺保压，进一步制得溅射靶材的烧结坯体。
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公开(公告)号：CN1952204A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510109269.4
申请日：2005-10-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种预处理光学镀膜材料及其预处理方法。该方法包括：(1)选用光学镀膜材料的原料粉体；(2)在温度为700～1400℃，压力为10～40Mpa条件下制备素坯；(3)在高温烧结炉中烧结，在烧结温度900～1800℃条件下恒温烧结2～4小时，制备坯体；(4)、将坯体严格按照镀膜机坩埚的尺寸加工成型；(5)在还原气氛炉中，在温度为1000～1700℃条件下，进行脱气处理2～6小时，即为预处理的光学镀膜材料。所得到TiO2预处理光学镀膜材料，其相对密度达到99％，氧含量为39.8％，失氧率为6％，按化学计量拟合其分子式为TiO1.979。预处理光学镀膜材料具有以下特点：1)高度致密化，相对密度达到90％以上，有些接近材料的理论密度；2)对于高折射率氧化物光学镀膜材料，通过本发明的工艺方法进行特定处理失去部分晶格氧。
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公开(公告)号：CN100497260C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510109055.7
申请日：2005-10-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/645 , B28B3/04
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸陶瓷溅射靶材的热压烧结成型方法，其方法步骤如下：A)称取制作靶材的粉体原料；B)按制作靶材的直径要求选定同直径的模具；C)将模具放进上加压、固定下压头基准面的热压炉炉体中；D)采用振动漏斗法装料，测量并保证模具内各局部的粉体堆积高度相同；E)热压并附加保护气氛，启动压机，开始加压，使上压头开始下移，在温度650℃～2100℃、压力15～40MPa环境下保温保压20min-60min，直至靶材相对密度达到设计值；F)采用附加保压工艺保压，进一步制得溅射靶材的烧结坯体。
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