公开(公告)号：CN110364210B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201910664971.9

申请日：2019-07-23

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 原义栋 ,  甘杰 ,  金锐 ,  胡晓波 ,  于艳艳 ,  赵毅强 ,  蔡里昂 ,  王喆 ,  崔炳荣 ,  成嵩 ,  杜鹏程 ,  李娜 ,  毛蝾 ,  李建阳 ,  魏佳

IPC: G11C16/30 ,  G11C5/14

Abstract: 本发明公开了一种基于LUT结构的双轨预充电AND‑NAND单元，包括：单轨LBDL逻辑与门，其包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一反相器I1；以及单轨LBDL逻辑与非门，其包括第四PMOS晶体管P4，第五PMOS晶体管P5、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4，第五NMOS晶体管N5和第二反相器I2。本发明的双轨预充电AND‑NAND单元使用更少的晶体管，占用更少的版图面积，同时保证了优秀的抗DPA攻击能力。

公开(公告)号：CN110119640A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910427488.9

申请日：2019-05-22

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 张海峰 ,  甘杰 ,  谭浪 ,  原义栋 ,  胡晓波 ,  赵毅强 ,  金锐 ,  于艳艳 ,  蔡里昂

IPC: G06F21/75

Abstract: 本发明公开了一种双轨预充电逻辑单元及其预充电方法，该双轨预充电逻辑单元对现有的双轨预充电逻辑单元中的单轨LBDL逻辑与门以及单轨LBDL逻辑非门分别进行了改进，改进后的该双轨预充电逻辑单元共包括N1～N12，P1～P12，I1～I2共28个晶体管，相比于现有的双轨预充电逻辑单元本发明采用了更少的晶体管、占用更少的版图面积，同时保证了逻辑单元的抗DPA攻击能力。

公开(公告)号：CN110119640B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201910427488.9

申请日：2019-05-22

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 张海峰 ,  甘杰 ,  谭浪 ,  原义栋 ,  胡晓波 ,  赵毅强 ,  金锐 ,  于艳艳 ,  蔡里昂

IPC: G06F21/75

Abstract: 本发明公开了一种双轨预充电逻辑单元及其预充电方法，该双轨预充电逻辑单元对现有的双轨预充电逻辑单元中的单轨LBDL逻辑与门以及单轨LBDL逻辑非门分别进行了改进，改进后的该双轨预充电逻辑单元共包括N1～N12，P1～P12，I1～I2共28个晶体管，相比于现有的双轨预充电逻辑单元本发明采用了更少的晶体管、占用更少的版图面积，同时保证了逻辑单元的抗DPA攻击能力。

公开(公告)号：CN110364210A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910664971.9

申请日：2019-07-23

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 原义栋 ,  甘杰 ,  金锐 ,  胡晓波 ,  于艳艳 ,  赵毅强 ,  蔡里昂 ,  王喆 ,  崔炳荣 ,  成嵩 ,  杜鹏程 ,  李娜 ,  毛蝾 ,  李建阳 ,  魏佳

IPC: G11C16/30 ,  G11C5/14

Abstract: 本发明公开了一种基于LUT结构的双轨预充电AND-NAND单元，包括：单轨LBDL逻辑与门，其包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一反相器I1；以及单轨LBDL逻辑与非门，其包括第四PMOS晶体管P4，第五PMOS晶体管P5、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4，第五NMOS晶体管N5和第二反相器I2。本发明的双轨预充电AND-NAND单元使用更少的晶体管，占用更少的版图面积，同时保证了优秀的抗DPA攻击能力。