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公开(公告)号：CN112393814B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202011163172.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种宽量程温度计算方法、系统、温度传感器及温度测量方法，属于传感器及温度测量补偿计算领域。所述宽量程温度计算方法包括：获取偏置电流为第一偏置电流I1时晶体管产生的与温度相关的第一电压VBE_1；将所述第一电压VBE_1与温度界限值对应的电压阈值VBE_g进行比较：若VBE_1≥VBE_g，则获取偏置电流为第二偏置电流I2时晶体管产生的与温度相关的第二电压VBE_2；计算第一电压VBE_1与第二电压VBE_2的差值ΔVBE，根据ΔVBE计算温度值；若VBE_1＜VBE_g，则获取偏置电流为第三偏置电流I3时晶体管产生的与温度相关的第三电压VBE_3；根据第三电压VBE_3和温度补偿公式计算温度值。在超出温度界限时采用温度补偿公式计算温度值，实现非线性补偿，得到较为准确的温度值。
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公开(公告)号：CN112306865A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011148013.5
申请日：2020-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F11/36 , G06K19/077
Abstract: 本发明涉及射频测试技术领域，提供一种基于射频门的读写器天线调试方法及装置，射频门内部设置有多个电子标签和读写器天线，读写器天线连接至预先设置的读写器；所述方法包括：读写器在预设功率范围内以预设功率步长读取多个电子标签，获得每个功率点下所读到的电子标签的标识；其中，读写器在预设功率范围的最小值下读取不到任何电子标签，且读写器的预设实际工作功率位于预设功率范围内；根据每个功率点下所读到的电子标签的标识，获得多个电子标签中每个电子标签所在位置的射频能量值；根据多个电子标签中每个电子标签所在位置的射频能量值对读写器天线进行调试。本发明提供的技术方案，能够准确、快速地调试读写器天线，从而提高工作效率。
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公开(公告)号：CN112101057B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011305922.5
申请日：2020-11-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06K7/10
Abstract: 本发明实施例提供一种标签数量估算方法、装置、电子设备及存储介质。所述方法包括：设定帧长度系数Q，基于最小不可检测的碰撞标签数量值Limit，获取相应帧长度内每个帧时隙内的碰撞标签数量值；统计相应帧长度内不同的碰撞标签数量值所分别对应的帧时隙数量之和；根据最小不可检测的碰撞标签数量值Limit和所述帧长度系数Q，查询对应的标签碰撞系数K；根据统计的帧时隙数量之和以及标签碰撞系数K，对标签数量进行第一轮估算，得到第一估算结果。通过上述方法，根据不同的帧长度系数Q和最小不可检测的碰撞标签数量值Limit，得到对应的碰撞系数K，使得对标签数量的估算更为准确，更加适用于标签数量较多的情况。
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公开(公告)号：CN112306865B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202011148013.5
申请日：2020-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F11/36 , G06K19/077
Abstract: 本发明涉及射频测试技术领域，提供一种基于射频门的读写器天线调试方法及装置，射频门内部设置有多个电子标签和读写器天线，读写器天线连接至预先设置的读写器；所述方法包括：读写器在预设功率范围内以预设功率步长读取多个电子标签，获得每个功率点下所读到的电子标签的标识；其中，读写器在预设功率范围的最小值下读取不到任何电子标签，且读写器的预设实际工作功率位于预设功率范围内；根据每个功率点下所读到的电子标签的标识，获得多个电子标签中每个电子标签所在位置的射频能量值；根据多个电子标签中每个电子标签所在位置的射频能量值对读写器天线进行调试。本发明提供的技术方案，能够准确、快速地调试读写器天线，从而提高工作效率。
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公开(公告)号：CN112393814A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011163172.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种宽量程温度计算方法、系统、温度传感器及温度测量方法，属于传感器及温度测量补偿计算领域。所述宽量程温度计算方法包括：获取偏置电流为第一偏置电流I1时晶体管产生的与温度相关的第一电压VBE_1；将所述第一电压VBE_1与温度界限值对应的电压阈值VBE_g进行比较：若VBE_1≥VBE_g，则获取偏置电流为第二偏置电流I2时晶体管产生的与温度相关的第二电压VBE_2；计算第一电压VBE_1与第二电压VBE_2的差值ΔVBE，根据ΔVBE计算温度值；若VBE_1＜VBE_g，则获取偏置电流为第三偏置电流I3时晶体管产生的与温度相关的第三电压VBE_3；根据第三电压VBE_3和温度补偿公式计算温度值。在超出温度界限时采用温度补偿公式计算温度值，实现非线性补偿，得到较为准确的温度值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110851110A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911120525.8
申请日：2019-11-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F7/535
Abstract: 本发明公开了一种无除法器的除三电路，电路中的Esum加法器用于对二进制数据中位于偶数位的各个二进制数进行相加从而得到加数Esum。Osum加法器用于对二进制数据中位于奇数位的各个二进制数进行相加从而得到加数Osum。第一多路选择器用于比较加数Esum和加数Osum，若加数Esum大于等于加数Osum，则计算加数Esum和加数Osum的差，并将加数Esum和加数Osum的差进行输出，若加数Esum小于加数Osum，则计算加数Osum和加数Esum的差，并将该差值左移1位，从而得到加数Osum和加数Esum的差的两倍，并将其进行输出。该无除法器的除三电路能够节约硬件资源、降低功耗以及成本。
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公开(公告)号：CN110851110B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201911120525.8
申请日：2019-11-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F7/535
Abstract: 本发明公开了一种无除法器的除三电路，电路中的Esum加法器用于对二进制数据中位于偶数位的各个二进制数进行相加从而得到加数Esum。Osum加法器用于对二进制数据中位于奇数位的各个二进制数进行相加从而得到加数Osum。第一多路选择器用于比较加数Esum和加数Osum，若加数Esum大于等于加数Osum，则计算加数Esum和加数Osum的差，并将加数Esum和加数Osum的差进行输出，若加数Esum小于加数Osum，则计算加数Osum和加数Esum的差，并将该差值左移1位，从而得到加数Osum和加数Esum的差的两倍，并将其进行输出。该无除法器的除三电路能够节约硬件资源、降低功耗以及成本。
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公开(公告)号：CN114154601A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111254682.5
申请日：2021-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于RFID芯片的测温方法与装置、测温系统、存储介质，其中，基于无源超高频RFID芯片的测温方法包括以下步骤：在建立与无源超高频RFID芯片之间的通信连接后，读取所述无源超高频RFID芯片的存储器数据，确定无源超高频RFID芯片的反向链路频率与温度之间的关系；获取无源超高频RFID芯片的当前反向链路频率，并根据关系和当前反向链路频率确定无源超高频RFID芯片的温度值。由此，本实施例的基于无源超高频RFID芯片的测温方法能够兼容多种测温环境，且检测方法简易灵敏，同时还能够降低测温成本，提高工作效率和用户使用体验。
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公开(公告)号：CN112101057A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011305922.5
申请日：2020-11-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06K7/10
Abstract: 本发明实施例提供一种标签数量估算方法、装置、电子设备及存储介质。所述方法包括：设定帧长度系数Q，基于最小不可检测的碰撞标签数量值Limit，获取相应帧长度内每个帧时隙内的碰撞标签数量值；统计相应帧长度内不同的碰撞标签数量值所分别对应的帧时隙数量之和；根据最小不可检测的碰撞标签数量值Limit和所述帧长度系数Q，查询对应的标签碰撞系数K；根据统计的帧时隙数量之和以及标签碰撞系数K，对标签数量进行第一轮估算，得到第一估算结果。通过上述方法，根据不同的帧长度系数Q和最小不可检测的碰撞标签数量值Limit，得到对应的碰撞系数K，使得对标签数量的估算更为准确，更加适用于标签数量较多的情况。
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公开(公告)号：CN119805110A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411802086.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 重庆邮电大学
IPC: G01R31/12 , G06F18/2413 , G06F18/214 , G06N3/045 , G06N3/0475 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供一种直流故障电弧检测方法、装置和电子设备，属于放电检测技术领域。方法包括：获取直流电力系统的待测参数；将待测参数输入至直流故障电弧检测模型，得到直流故障电弧检测模型输出的故障检测结果。其中，该模型是基于多个训练样本参数和每个训练样本参数的故障检测结果标签训练得到的，多个训练样本参数是直流电力系统的历史样本参数和少数类样本参数基于生成对抗网络生成的；少数类样本参数是历史样本参数基于合成少数类过采样方法生成的。本发明通过结合生成对抗网络和合成少数类过采样方法生成直流故障电弧检测模型用于训练的训练样本参数，可以有效扩展和平衡数据集，进而提高直流故障电弧检测模型的泛化能力和故障检测准确性。
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