公开(公告)号：CN117976013A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202311523868.5

申请日：2023-11-15

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 王勇 ,  韩旭鹏 ,  刘亚娇 ,  曹炜亦 ,  钱浩 ,  郭小星 ,  曹安妮 ,  姚可欣 ,  郭晓 ,  宗宇 ,  王亮 ,  赵元富

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及了一种带Forming保护的RRAM存储器写电路，旨在解决现有的低电压CMOS器件设计的RRAM存储器的写电路在确保写操作过程中不出现超过晶体管耐压能力的可靠性不足的问题。本发明包括：阻变器件、选通NMOS管和选通开关组；阻变器件的两端分别连接位线BL和选通NMOS管的漏级；选通NMOS管的源极连接源线SL；所述选通开关组包括第一部分和第二部分；所述位线BL连接至第一部分；所述源线SL连接至第二部分。本发明降低了电路功耗，使电路可以通过采用低压小线宽晶体管提升电路的集成度和读写速度，使新型存储器RRAM可以采用更小工艺节点，实现更大容量、更高速度和更低功耗。

公开(公告)号：CN116863976A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310637654.4

申请日：2023-05-31

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 曹安妮 ,  李鑫 ,  张彦龙 ,  王亮 ,  赵元富

IPC: G11C7/08 ,  H03F1/30 ,  H03F3/16 ,  G11C7/06

Abstract: 本发明属于非易失新型存储领域，具体涉及了一种抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法，旨在解决现有的存储单元外围基于MOS管的电路仍然对空间辐射效应敏感的问题。本发明包括：预先放电部分通过第一传感支路和第二传感支路连接至充电传感部分；充电传感部分包括PMOS管PM0和PM1并连接至VDD；第一反馈支路的第一端连接PM0，第二端连接PM1第三端连接至第一传感支路，第四端连接第二传感支路；第一传感支路通过第二反馈支路连接至第二传感支路；第二传感支路通过第三反馈支路连接至第一传感支路。本发明通过为放大器设置3条反馈支路，加速了数据单元和对比单元所在的传感支路的放电时间，稳定增大第零输出节点V0和第一输出节点V1的电压差。

公开(公告)号：CN118506829A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410613964.7

申请日：2024-05-17

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 曹炜亦 ,  韩旭鹏 ,  刘亚娇 ,  曹安妮 ,  隋成龙 ,  郭小星 ,  钱浩 ,  王亮 ,  张彦龙 ,  王勇 ,  赵元富

IPC: G11C13/00 ,  G11C7/06

Abstract: 本发明涉及一种基于互补存储单元的RRAM灵敏放大器电路，属于非易失性存储器电路设计技术领域，包括正向放大电路、反向放大电路、比较器、数据存储单元和互补存储单元。正向放大电路向数据存储单元提供稳定的读电压，并放大位线电流，转换为电压信号；反向放大电路向互补存储单元提供稳定的读电压，并放大位线电流，转换为电压信号；比较器用于比较两个互补的电压信号；数据存储单元与互补存储单元共同存储逻辑相反的一组数据；本发明设计的RRAM灵敏放大器电路具有更高的读取裕度、更低的读错误率，抗工艺波动能力强，设计复杂度低，电路容易实现。

公开(公告)号：CN118748028A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410770393.8

申请日：2024-06-14

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 曹安妮 ,  李鑫 ,  曹炜亦 ,  王亮 ,  赵元富

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种高可靠实时自中断STT‑MRAM写电路，由写电流通路和实时自中断写电流控制等模块组成。本发明所述的写电路适用于2T2MTJ存储单元结构，即采用2个Transistor和2个MTJ记录1bit数据；写电流通路由存储单元和外围电路组成，其中外围电路采用双电流镜结构，缓解STT写操作的电流、时间不对称问题；实时自中断写电流控制模块在确保写正确率、不启动读电路的情况下，缩短具体单元的写时间、降低写功耗，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命。本发明具有数据存储高可靠、写操作高效率、存储单元长寿命等优点，可作为高可靠、长寿命STT‑MRAM写电路设计的解决方案。

公开(公告)号：CN114187941B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202111406609.5

申请日：2021-11-24

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 曹安妮 ,  李鑫 ,  张彦龙 ,  王亮 ,  赵元富

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种高可靠的抗辐射加固STT‑MRAM读写电路，由数据单元、敏感放大器、锁存单元、写电流控制和写电流通路等模块组成。读操作采用敏感放大器与锁存单元分级读取的模式，缩短了读电流通过数据单元的时间，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命；写操作的电流方向由时钟信号、输出使能信号、待写数据信号共同控制。本发明所述的读写电路采用2个MTJ记录1bit数据，提高了电路对工艺、电压和温度(PVT)偏差的容忍程度，消除了传统STT‑MRAM写”0”或写”1”电流不对称的问题；锁存单元对空间单粒子效应导致的敏感节点翻转有一定修复能力。本发明具有高可靠、抗辐射、长寿命等优点，可作为宇航级STT‑MRAM读写电路设计的解决方案。

公开(公告)号：CN114187941A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111406609.5

申请日：2021-11-24

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 曹安妮 ,  李鑫 ,  张彦龙 ,  王亮 ,  赵元富

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种高可靠的抗辐射加固STT‑MRAM读写电路，由数据单元、敏感放大器、锁存单元、写电流控制和写电流通路等模块组成。读操作采用敏感放大器与锁存单元分级读取的模式，缩短了读电流通过数据单元的时间，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命；写操作的电流方向由时钟信号、输出使能信号、待写数据信号共同控制。本发明所述的读写电路采用2个MTJ记录1bit数据，提高了电路对工艺、电压和温度(PVT)偏差的容忍程度，消除了传统STT‑MRAM写”0”或写”1”电流不对称的问题；锁存单元对空间单粒子效应导致的敏感节点翻转有一定修复能力。本发明具有高可靠、抗辐射、长寿命等优点，可作为宇航级STT‑MRAM读写电路设计的解决方案。