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公开(公告)号:CN110083897B
公开(公告)日:2020-08-21
申请号:CN201910298007.9
申请日:2019-04-15
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种原子结构分析方法以及表面或界面原子结构的建模方法,特别涉及一种针对低对称性或者无对称性原子结构的局域格点环境以及局域原子环境的分析方法,以及利用上述分析方法的无序固溶材料表面或界面原子结构的建模和分析方法;该结构分析方法普适性好,不仅适用于晶体结构分析,还适用于非晶结构分析;以此为基础,结合相似原子环境(SAE)方法,实现了一种新型无序固溶材料表面结构的建模方法,建模晶胞大小灵活可调,可以处理表面偏聚。
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公开(公告)号:CN110188429A
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201910418273.0
申请日:2019-05-20
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 本发明涉及一种含f电子金属材料电导率、热导率的第一性原理计算方法及系统,能够显著降低镧、锕系材料的电导率和热导率计算结果与实验结果的误差;并且能够使得d->f电子跃迁矩阵计算的总浮点操作数从1012量级降低至104,从而大幅提高计算效率。
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公开(公告)号:CN110188429B
公开(公告)日:2020-01-31
申请号:CN201910418273.0
申请日:2019-05-20
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
IPC: G06F30/20 , G01R27/02 , G01N25/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种含f电子金属材料电导率、热导率的第一性原理计算方法及系统,能够显著降低镧、锕系材料的电导率和热导率计算结果与实验结果的误差;并且能够使得d‑>f电子跃迁矩阵计算的总浮点操作数从1012量级降低至104,从而大幅提高计算效率。
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公开(公告)号:CN110083897A
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201910298007.9
申请日:2019-04-15
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种原子结构分析方法以及表面或界面原子结构的建模方法,特别涉及一种针对低对称性或者无对称性原子结构的局域格点环境以及局域原子环境的分析方法,以及利用上述分析方法的无序固溶材料表面或界面原子结构的建模和分析方法;该结构分析方法普适性好,不仅适用于晶体结构分析,还适用于非晶结构分析;以此为基础,结合相似原子环境(SAE)方法,实现了一种新型无序固溶材料表面结构的建模方法,建模晶胞大小灵活可调,可以处理表面偏聚。
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