一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器

    公开(公告)号:CN109449284B

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201811083208.9

    申请日:2018-09-17

    Abstract: 本发明提供了一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器,包括:三碘化铬磁性膜、衬底、压电晶体和电源;三碘化铬磁性膜在膜厚度方向上与衬底固定连接,三碘化铬磁性膜和衬底在第一方向上的一边均固定,且衬底在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接;三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流;电源的一端与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连,另一端与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连。该电流自旋控制器通过压电晶体的形变使衬底弯曲,导致CrI3膜受到挤压或拉伸,可将经过CrI3薄膜的非自旋极化的电流过滤成单自旋且自旋极化方向可控的电流,也可不改变经过CrI3薄膜的电流性质。

    基于三碘化铬的极化方向可控的自旋电流过滤器

    公开(公告)号:CN109524459B

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201811083207.4

    申请日:2018-09-17

    Abstract: 本发明提供了一种基于三碘化铬的极化方向可控的自旋电流过滤器,包括:三碘化铬磁性膜、压电晶体和电源;电源的正极与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连,电源的负极与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连;三碘化铬磁性膜在第一方向上的一边固定,三碘化铬磁性膜在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接;三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流,第一方向和第二方向组成的平面与三碘化铬磁性膜的膜厚度方向垂直。该自旋电流过滤器通过压电晶体拉伸CrI3薄膜,将经过CrI3薄膜的非自旋极化的电流过滤成只有一个方向的自旋极化的电流,同时还可以控制输出电流的自旋极化方向。

    基于遗传算法对材料的磁结构进行搜索的方法及装置

    公开(公告)号:CN109034357B

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201810585875.0

    申请日:2018-06-08

    Abstract: 本发明提供了一种基于遗传算法对材料的磁结构进行搜索的方法及装置,该方法包括:获取待测材料的物理参数;确定扩展后的超元胞;确定遗传算法的迭代次数N、每代种群个体数量n和最优个体数量m;将随机生成的n个个体作为初始的种群;确定种群内每个个体的体系能量和磁有序结构,选取m个体系能量最低的最优磁有序个体、并从m个最优个体中随机抽取两个进行杂交并生成n个新的个体,之后重复上述选取m个最优个体的步骤,直至迭代次数达到N;根据最后得到的m个最优个体所对应的磁有序结构确定待测材料的全局最优磁有序结构。该方法能够快速准确地预测磁有序结构,大大提高确定磁有序结构的效率和准确度。

    一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器

    公开(公告)号:CN109449284A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811083208.9

    申请日:2018-09-17

    CPC classification number: H01L43/02 H01L43/08 H01L43/10

    Abstract: 本发明提供了一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器,包括:三碘化铬磁性膜、衬底、压电晶体和电源;三碘化铬磁性膜在膜厚度方向上与衬底固定连接,三碘化铬磁性膜和衬底在第一方向上的一边均固定,且衬底在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接;三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流;电源的一端与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连,另一端与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连。该电流自旋控制器通过压电晶体的形变使衬底弯曲,导致CrI3膜受到挤压或拉伸,可将经过CrI3薄膜的非自旋极化的电流过滤成单自旋且自旋极化方向可控的电流,也可不改变经过CrI3薄膜的电流性质。

    基于三碘化铬的极化方向可控的自旋电流过滤器

    公开(公告)号:CN109524459A

    公开(公告)日:2019-03-26

    申请号:CN201811083207.4

    申请日:2018-09-17

    Abstract: 本发明提供了一种基于三碘化铬的极化方向可控的自旋电流过滤器,包括:三碘化铬磁性膜、压电晶体和电源;电源的正极与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连,电源的负极与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连;三碘化铬磁性膜在第一方向上的一边固定,三碘化铬磁性膜在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接;三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流,第一方向和第二方向组成的平面与三碘化铬磁性膜的膜厚度方向垂直。该自旋电流过滤器通过压电晶体拉伸CrI3薄膜,将经过CrI3薄膜的非自旋极化的电流过滤成只有一个方向的自旋极化的电流,同时还可以控制输出电流的自旋极化方向。

    基于遗传算法对材料的磁结构进行搜索的方法及装置

    公开(公告)号:CN109034357A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810585875.0

    申请日:2018-06-08

    CPC classification number: G06N3/002 G06N3/126

    Abstract: 本发明提供了一种基于遗传算法对材料的磁结构进行搜索的方法及装置,该方法包括:获取待测材料的物理参数;确定扩展后的超元胞;确定遗传算法的迭代次数N、每代种群个体数量n和最优个体数量m;将随机生成的n个个体作为初始的种群;确定种群内每个个体的体系能量和磁有序结构,选取m个体系能量最低的最优磁有序个体、并从m个最优个体中随机抽取两个进行杂交并生成n个新的个体,之后重复上述选取m个最优个体的步骤,直至迭代次数达到N;根据最后得到的m个最优个体所对应的磁有序结构确定待测材料的全局最优磁有序结构。该方法能够快速准确地预测磁有序结构,大大提高确定磁有序结构的效率和准确度。

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