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公开(公告)号：CN109524459A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811083207.4
申请日：2018-09-17
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于三碘化铬的极化方向可控的自旋电流过滤器，包括：三碘化铬磁性膜、压电晶体和电源；电源的正极与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连，电源的负极与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连；三碘化铬磁性膜在第一方向上的一边固定，三碘化铬磁性膜在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接；三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流，第一方向和第二方向组成的平面与三碘化铬磁性膜的膜厚度方向垂直。该自旋电流过滤器通过压电晶体拉伸CrI3薄膜，将经过CrI3薄膜的非自旋极化的电流过滤成只有一个方向的自旋极化的电流，同时还可以控制输出电流的自旋极化方向。
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公开(公告)号：CN109034357A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810585875.0
申请日：2018-06-08
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于遗传算法对材料的磁结构进行搜索的方法及装置，该方法包括：获取待测材料的物理参数；确定扩展后的超元胞；确定遗传算法的迭代次数N、每代种群个体数量n和最优个体数量m；将随机生成的n个个体作为初始的种群；确定种群内每个个体的体系能量和磁有序结构，选取m个体系能量最低的最优磁有序个体、并从m个最优个体中随机抽取两个进行杂交并生成n个新的个体，之后重复上述选取m个最优个体的步骤，直至迭代次数达到N；根据最后得到的m个最优个体所对应的磁有序结构确定待测材料的全局最优磁有序结构。该方法能够快速准确地预测磁有序结构，大大提高确定磁有序结构的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN110954512B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910995840.9
申请日：2019-10-18
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
IPC: G01N21/62
Abstract: 本发明是关于合金材料原胞的声子谱的解析计算方法及装置。该方法包括：获取合金材料的超胞的声子谱的声子极化矢量；根据所述声子极化矢量，确定所述超胞的布里渊区的投影算符；根据所述超胞的布里渊区的投影算符，获取所述超胞的声子谱权重；根据所声子谱权重，获取所述合金材料的原胞的声子谱。该技术方案，可基于合金材料的超胞的声子谱导出合金材料的初始原胞的真实、准确的声子谱，为复杂合金材料的研究和调控提供便宜的技术手段。
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公开(公告)号：CN109524459B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201811083207.4
申请日：2018-09-17
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于三碘化铬的极化方向可控的自旋电流过滤器，包括：三碘化铬磁性膜、压电晶体和电源；电源的正极与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连，电源的负极与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连；三碘化铬磁性膜在第一方向上的一边固定，三碘化铬磁性膜在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接；三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流，第一方向和第二方向组成的平面与三碘化铬磁性膜的膜厚度方向垂直。该自旋电流过滤器通过压电晶体拉伸CrI3薄膜，将经过CrI3薄膜的非自旋极化的电流过滤成只有一个方向的自旋极化的电流，同时还可以控制输出电流的自旋极化方向。
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公开(公告)号：CN109449284B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811083208.9
申请日：2018-09-17
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器，包括：三碘化铬磁性膜、衬底、压电晶体和电源；三碘化铬磁性膜在膜厚度方向上与衬底固定连接，三碘化铬磁性膜和衬底在第一方向上的一边均固定，且衬底在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接；三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流；电源的一端与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连，另一端与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连。该电流自旋控制器通过压电晶体的形变使衬底弯曲，导致CrI3膜受到挤压或拉伸，可将经过CrI3薄膜的非自旋极化的电流过滤成单自旋且自旋极化方向可控的电流，也可不改变经过CrI3薄膜的电流性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110990992B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910994665.1
申请日：2019-10-18
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F17/15 , G06F17/18 , G06F111/10
Abstract: 本发明是关于获取合金材料原胞电子结构的方法及装置。该方法包括：获取所述合金材料的超胞的物理参数；根据所述超胞的物理参数，构建所述超胞的瓦尼尔函数；修改所述超胞的瓦尼尔函数，重组所述超胞的电子波函数；根据所述超胞的电子波函数，获得所述超胞与原胞能带结构之间的转换权重参数，利用所述转换权重参数，描述出所述原胞的电子结构。通过本发明的技术方案，可利用合金材料超胞的结构还原出其初始原胞真实、干净的电子结构，从而便于全面、准确地把握合金材料电子结构特征，为材料的研究和调控提供理论参考，避免利用超胞结构直接做研究时由于电子结构的复杂而导致对所研究合金材料分析困难和理解偏差。
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公开(公告)号：CN110990992A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910994665.1
申请日：2019-10-18
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F17/15 , G06F17/18 , G06F111/10
Abstract: 本发明是关于获取合金材料原胞电子结构的方法及装置。该方法包括：获取所述合金材料的超胞的物理参数；根据所述超胞的物理参数，构建所述超胞的瓦尼尔函数；修改所述超胞的瓦尼尔函数，重组所述超胞的电子波函数；根据所述超胞的电子波函数，获得所述超胞与原胞能带结构之间的转换权重参数，利用所述转换权重参数，描述出所述原胞的电子结构。通过本发明的技术方案，可利用合金材料超胞的结构还原出其初始原胞真实、干净的电子结构，从而便于全面、准确地把握合金材料电子结构特征，为材料的研究和调控提供理论参考，避免利用超胞结构直接做研究时由于电子结构的复杂而导致对所研究合金材料分析困难和理解偏差。
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公开(公告)号：CN110954512A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910995840.9
申请日：2019-10-18
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
IPC: G01N21/62
Abstract: 本发明是关于合金材料原胞的声子谱的解析计算方法及装置。该方法包括：获取合金材料的超胞的声子谱的声子极化矢量；根据所述声子极化矢量，确定所述超胞的布里渊区的投影算符；根据所述超胞的布里渊区的投影算符，获取所述超胞的声子谱权重；根据所声子谱权重，获取所述合金材料的原胞的声子谱。该技术方案，可基于合金材料的超胞的声子谱导出合金材料的初始原胞的真实、准确的声子谱，为复杂合金材料的研究和调控提供便宜的技术手段。
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公开(公告)号：CN109034357B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201810585875.0
申请日：2018-06-08
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于遗传算法对材料的磁结构进行搜索的方法及装置，该方法包括：获取待测材料的物理参数；确定扩展后的超元胞；确定遗传算法的迭代次数N、每代种群个体数量n和最优个体数量m；将随机生成的n个个体作为初始的种群；确定种群内每个个体的体系能量和磁有序结构，选取m个体系能量最低的最优磁有序个体、并从m个最优个体中随机抽取两个进行杂交并生成n个新的个体，之后重复上述选取m个最优个体的步骤，直至迭代次数达到N；根据最后得到的m个最优个体所对应的磁有序结构确定待测材料的全局最优磁有序结构。该方法能够快速准确地预测磁有序结构，大大提高确定磁有序结构的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN109449284A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811083208.9
申请日：2018-09-17
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器，包括：三碘化铬磁性膜、衬底、压电晶体和电源；三碘化铬磁性膜在膜厚度方向上与衬底固定连接，三碘化铬磁性膜和衬底在第一方向上的一边均固定，且衬底在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接；三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流；电源的一端与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连，另一端与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连。该电流自旋控制器通过压电晶体的形变使衬底弯曲，导致CrI3膜受到挤压或拉伸，可将经过CrI3薄膜的非自旋极化的电流过滤成单自旋且自旋极化方向可控的电流，也可不改变经过CrI3薄膜的电流性质。
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