芍药属植物离体培养和增殖方法及专用培养基

    公开(公告)号:CN116602212A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310663709.9

    申请日:2023-06-06

    Inventor: 张晓东 洪燕

    Abstract: 本发明公开了一种芍药属植物离体培养和增殖方法及专用培养基。该方法包括:首先,以芍药属植物幼茎为外植体,将所述外植体接种于启动培养基中进行培养以使所述外植体上腋芽陆续长出,用于后续增殖阶段的培养;然后,切取上一步骤得到的外植体上的芽并将其接种于增殖培养基中进行丛生芽的培养。本发明方法可以解决外植体褐化问题,外植体出芽频率高,增殖快。

    芍药属植物离体培养和增殖方法及专用培养基

    公开(公告)号:CN116602212B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202310663709.9

    申请日:2023-06-06

    Inventor: 张晓东 洪燕

    Abstract: 本发明公开了一种芍药属植物离体培养和增殖方法及专用培养基。该方法包括:首先,以芍药属植物幼茎为外植体,将所述外植体接种于启动培养基中进行培养以使所述外植体上腋芽陆续长出,用于后续增殖阶段的培养;然后,切取上一步骤得到的外植体上的芽并将其接种于增殖培养基中进行丛生芽的培养。本发明方法可以解决外植体褐化问题,外植体出芽频率高,增殖快。

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