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发明公开
基于CMOS器件实现的跨导增强型低压跨导放大器无效

公开(公告)号：CN104935272A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510413566.1

申请日：2015-07-15

Applicant: 北京工商大学

Inventor： 项辉宇 , 孙超 , 李婷婷 , 杨洋 , 李鹤

IPC: H03F1/42 , H03F3/45

Abstract: 本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种基于CMOS器件实现的跨导增强型低压跨导放大器，其包括一组PMOS管组成的差分输入对，将输入电压信号转换成电流信号；一组NMOS管组成的正反馈二极管，通过正反馈的形式增强跨导；两组高速电流镜，将增强后的小信号电流进行复制；由NMOS和PMOS管组成的输出级，提供输出阻抗和驱动能力。该跨导增强型低压跨导放大器具有在低电压下工作的能力，和原始放大器相比具有提升至少两倍带宽的能力，能节省一半功耗，并且低频增益也有相应的增强效果。本发明基于CMOS器件实现的跨导增强型低压跨导放大器具有很好的实用前景，能应用在多种电路模块中，如信号放大电路，AD/DA等电路。

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