公开(公告)号：CN109626413B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201910036493.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  黄梓含 ,  闫胤洲 ,  邢承 ,  王强

IPC: C01G9/02

Abstract: 本发明提供一种激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法及所得材料。所述激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法，是用紫外纳秒激光为辐照光源，照射富受主型ZnO微米管，获得微纳结构。本发明提出的一种纳秒紫外激光辐照富受主型ZnO微米管制备微纳结构的方法，以富含Zn空位的富受主型ZnO微米管为基底材料，利用Zn空位点缺陷在激光辐照下独特的光学和电学特性，在较低的功率密度下制备出多种微纳结构，提高了ZnO光电器件性能，拓宽了富受主型ZnO单晶微米管器件的应用领域。

公开(公告)号：CN109626413A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910036493.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  黄梓含 ,  闫胤洲 ,  邢承 ,  王强

IPC: C01G9/02

CPC classification number: C01G9/02 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62

Abstract: 本发明提供一种激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法及所得材料。所述激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法，是用紫外纳秒激光为辐照光源，照射富受主型ZnO微米管，获得微纳结构。本发明提出的一种纳秒紫外激光辐照富受主型ZnO微米管制备微纳结构的方法，以富含Zn空位的富受主型ZnO微米管为基底材料，利用Zn空位点缺陷在激光辐照下独特的光学和电学特性，在较低的功率密度下制备出多种微纳结构，提高了ZnO光电器件性能，拓宽了富受主型ZnO单晶微米管器件的应用领域。