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公开(公告)号：CN109626413B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201910036493.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明提供一种激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法及所得材料。所述激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法，是用紫外纳秒激光为辐照光源，照射富受主型ZnO微米管，获得微纳结构。本发明提出的一种纳秒紫外激光辐照富受主型ZnO微米管制备微纳结构的方法，以富含Zn空位的富受主型ZnO微米管为基底材料，利用Zn空位点缺陷在激光辐照下独特的光学和电学特性，在较低的功率密度下制备出多种微纳结构，提高了ZnO光电器件性能，拓宽了富受主型ZnO单晶微米管器件的应用领域。
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公开(公告)号：CN110212075A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910393599.2
申请日：2019-05-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构及其制备方法，所述叠层结构包括依次层叠连接的单层介电微球阵列、发光薄膜和衬底，同时还包括，嵌设在所述发光薄膜和衬底之间的第一金属纳米颗粒层，及嵌设在所述发光薄膜和单层介电微球阵列之间的第二金属纳米颗粒层。本发明所提供的增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构结合了介电微球光场调控与金属表面等离激元耦合效应的共同作用，可使得发光薄膜的发光强度显著增强，远远高于单独使用金属纳米颗粒层或单层介电微球阵列的增强效果；其制备成本低廉、方法简单、工艺耗时短、且不受任何衬底的限制，适用于高质量半导体发光薄膜的发光增强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107688015B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201710572243.6
申请日：2017-07-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 增强拉曼散射光强的透明介电微球柔性薄膜的制备方法，属于光谱检测领域。包括如下步骤：配制透明介电微球悬浊液；将介电微球悬浊液滴涂在倾斜的玻璃片表面；待倾斜玻璃片上悬浊液中的溶剂蒸发后，形成微球单层密铺阵列结构；配制聚二甲基硅氧烷(PDMS)溶液；将混合均匀的PDMS溶液滴涂于沉积了微球阵列的玻璃片上，并对其匀胶进行减薄；将覆盖了微球阵列及PDMS液态薄层的玻璃片进行加热并冷却到室温，使微球阵列镶嵌于PDMS薄膜中并固化；将微球薄膜与玻璃片剥离。本发明的柔性薄膜，能够贴附在多种样品表面，可实现半导体材料、一维和二维纳米材料、以及三维结构表面材料的拉曼散射增强。
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公开(公告)号：CN107688015A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710572243.6
申请日：2017-07-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 一种用于增强拉曼散射光谱强度的透明介电微球柔性薄膜的制备方法，属于光谱检测领域。包括如下步骤：配制透明介电微球悬浊液；将介电微球悬浊液滴涂在倾斜的玻璃片表面；待倾斜玻璃片上悬浊液中的溶剂蒸发后，形成微球单层密铺阵列结构；配制聚二甲基硅氧烷(PDMS)溶液；将混合均匀的PDMS溶液滴涂于沉积了微球阵列的玻璃片上，并对其匀胶进行减薄；将覆盖了微球阵列及PDMS液态薄层的玻璃片进行加热并冷却到室温，使微球阵列镶嵌于PDMS薄膜中并固化；将微球薄膜与玻璃片剥离。本发明的柔性薄膜，能够贴附在多种样品表面，可实现半导体材料、一维和二维纳米材料、以及三维结构表面材料的拉曼散射增强。
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公开(公告)号：CN110212075B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910393599.2
申请日：2019-05-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构及其制备方法，所述叠层结构包括依次层叠连接的单层介电微球阵列、发光薄膜和衬底，同时还包括，嵌设在所述发光薄膜和衬底之间的第一金属纳米颗粒层，及嵌设在所述发光薄膜和单层介电微球阵列之间的第二金属纳米颗粒层。本发明所提供的增强发光薄膜荧光发光强度的叠层结构结合了介电微球光场调控与金属表面等离激元耦合效应的共同作用，可使得发光薄膜的发光强度显著增强，远远高于单独使用金属纳米颗粒层或单层介电微球阵列的增强效果；其制备成本低廉、方法简单、工艺耗时短、且不受任何衬底的限制，适用于高质量半导体发光薄膜的发光增强。
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公开(公告)号：CN109626413A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910036493.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G9/02
CPC classification number: C01G9/02 , C01P2004/61 , C01P2004/62
Abstract: 本发明提供一种激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法及所得材料。所述激光辐照ZnO微米管制备微纳结构的方法，是用紫外纳秒激光为辐照光源，照射富受主型ZnO微米管，获得微纳结构。本发明提出的一种纳秒紫外激光辐照富受主型ZnO微米管制备微纳结构的方法，以富含Zn空位的富受主型ZnO微米管为基底材料，利用Zn空位点缺陷在激光辐照下独特的光学和电学特性，在较低的功率密度下制备出多种微纳结构，提高了ZnO光电器件性能，拓宽了富受主型ZnO单晶微米管器件的应用领域。
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公开(公告)号：CN108286073A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810046007.5
申请日：2018-01-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种原位光学气相过饱和析出法快速生长超薄壁氧化锌单晶微米管的方法，属于半导体材料制备领域。包括如下步骤：制备粒径大小均匀的ZnO粉料；将ZnO粉料放入70MPa等静压下获得致密的素坯棒；将素胚棒一端磨成圆锥状并安装于光学浮区炉卤素灯聚焦处，直接进行素胚料棒光学预烧，预烧功率1200-2400W，预烧时间2-6小时；预烧完成后提高卤素灯功率进行氧化锌微米管的生长，生长功率为3600-4200W，生长时间为8-10小时，得到形貌完整且具有正六边形几何结构的超薄壁氧化锌单晶微米管，其壁厚最薄可以达到～450nm，其直径～230μm。本发明方法可快速生长高质量超薄壁氧化锌单晶微米管实现结构半导体制备，在光电检测和微腔激光输出领域具有潜在的应用。
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