公开(公告)号：CN110904410A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911307889.7

申请日：2019-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 周帆 ,  梁轩铭 ,  王金淑 ,  邓琦键 ,  王蕊 ,  杨韵斐 ,  杨灏天 ,  李菲祺

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58

Abstract: 一种制备具有高次级发射性能的氧化镁基薄膜的设备和方法，该设备包括热蒸镀真空室以及安装在真空室内的热蒸镀源物质、钨舟和基底材料，还包括真空管式炉以及配套的气体流量控制器、微调针型阀和氧气。经过热蒸镀在基底材料表面沉积金属或合金薄膜，之后在真空管式炉中通以微量氧气，维持管内真空在5～100Pa，温度400～650℃，进行热活化处理，从而获得次级发射系数高且发射稳定的氧化镁基薄膜，薄膜厚度约为100nm～1μm。此方法工艺简单，薄膜结构、成分可调，次级发射性能稳定，不需要使用昂贵的离子源或电子枪，有望开发应用于光电倍管、图像增强器、等离子平板显示器等领域。