公开(公告)号：CN117438456A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311427754.0

申请日：2023-10-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  王雨涵 ,  费宝亮

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种增强型垂直环栅GaN HEMT器件及制备方法，器件包括：自底向上布置的漏区Si3N4钝化层、漏电极、n+GaN衬底、n‑GaN缓冲层、p+GaN渐变阶梯埋层、SiO2电流阻挡层、AlN层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和p‑GaN层，以及顶部由内向外设置的环形栅内钝化层、栅电极、环形栅外钝化层、源电极、源区外侧钝化层和SiO2保护层；n‑GaN缓冲层外延淀积于n+GaN衬底上，n‑GaN缓冲层部分区域纵向刻蚀后、注入Mg离子并通过退火工艺形成p+GaN渐变阶梯埋层；SiO2电流阻挡层上刻蚀得到AlN槽窗口，AlN层淀积于AlN槽窗口中。通过本发明的技术方案，提高了器件的击穿特性，提高了电流开关比，改善了功率型开关器件的性能。

公开(公告)号：CN117080069A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311046769.2

申请日：2023-08-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  费宝亮 ,  王雨涵

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了共源极的双环形栅P型氮化镓增强型器件及其制备方法。制备方法包括如下步骤：GaN外延生长；进行器件隔离；生长SiO2保护有源区台面；所述器件结构刻蚀源漏区域；溅射源漏电极，退火形成欧姆接触；溅射环形栅电极，形成肖特基接触；刻蚀形成电隔离；生长SiO2钝化层；进行开孔。本发明提高了器件的阈值电压、击穿电压；降低了电流崩塌效应、边缘效应、导通电阻；改善了栅极控制能力、电流驱动能力、亚阈值斜率和开关电流比；有效抑制了反向漏电流、降低动态Ron/静态Ron比，实现更好的动态特性。

公开(公告)号：CN222166506U

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202420617086.1

申请日：2024-03-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  李珮阳 ,  费宝亮 ,  王雨涵 ,  李倩

IPC: G01M7/08 ,  G01N3/02 ,  G01N3/04 ,  G01N3/303

Abstract: 本实用新型公开了一种半导体集成电路测试装置，包括底座和壳体，壳体通过多个第一连接柱安装在底座上方，半导体集成电路通过夹持机构被夹持在底座上表面；撞击测试机构设在壳体内，其包括升降板，升降板通过提升组件可升降安装在壳体内，升降板底部沿竖直方向安装有多个第二连接柱，多个第二连接柱的底端伸出壳体底板后连接测试头，测试头置于半导体集成电路正上方；缓冲机构设置在壳体内底壁上且置于升降板的正下方，缓冲机构用于缓冲测试头的撞击力。本实用新型自动化程度较高，能够有效节约浪费人力，提升半导体集成电路的检测效率，有效避免由于测试头下落冲击力过大所造成的半导体集成电路的表面损坏，保证产品合格率。