公开(公告)号：CN110113035B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201910316850.5

申请日：2019-04-19

Applicant: 北京工业大学(CN)

Inventor： 谢雪松 ,  胡冬冬 ,  张小玲 ,  亓帅兵

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/687

Abstract: 一种高频功率MOSFET驱动电路属于电力电子领域，适用于高频率下开关电源功率MOSFET驱动,适合于丁类放大器结构。驱动电路，包括驱动信号产生模块与驱动电路模块；驱动信号产生模块包括信号发生模块，MOSFET漏电流保护模块；驱动电路模块包括推挽式驱动电路结构与变压器结构；由驱动信号模块产生两路带死区的高频驱动信号，送至驱动电路模块，利用推挽电路结构来输出电流，通过多级推挽来实现电路驱动大电流的需求；将输出的驱动电流经隔直电容送至变压器结构，通过调节变压器原边电感、次级电感、以及变压器漏感的比值，与MOSFET的寄生栅极电容构成LLC谐振，使输出的驱动电流与驱动电压存在相位差，实现软开关驱动。

公开(公告)号：CN110113035A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910316850.5

申请日：2019-04-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢雪松 ,  胡冬冬 ,  张小玲 ,  亓帅兵

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/687

Abstract: 一种高频功率MOSFET驱动电路属于电力电子领域，适用于高频率下开关电源功率MOSFET驱动,适合于丁类放大器结构。驱动电路，包括驱动信号产生模块与驱动电路模块；驱动信号产生模块包括信号发生模块，MOSFET漏电流保护模块；驱动电路模块包括推挽式驱动电路结构与变压器结构；由驱动信号模块产生两路带死区的高频驱动信号，送至驱动电路模块，利用推挽电路结构来输出电流，通过多级推挽来实现电路驱动大电流的需求；将输出的驱动电流经隔直电容送至变压器结构，通过调节变压器原边电感、次级电感、以及变压器漏感的比值，与MOSFET的寄生栅极电容构成LLC谐振，使输出的驱动电流与驱动电压存在相位差，实现软开关驱动。

公开(公告)号：CN108919922A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810755274.X

申请日：2018-07-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢雪松 ,  亓帅兵 ,  张小玲 ,  胡冬冬

IPC: G06F1/20

Abstract: 微通道相变散热器涉及散热领域，为解决电子器件及系统功率越来越大随之产生高的热流密度，由此带来系统产热与散热之间的矛盾。利用微通道相变散热原理，设计一种散热器。该散热器利用工质汽化潜热大，在流过散热芯片时发生相变可以迅速吸走大量的热，具有很强的换热能力。用该原理设计的散热器具有体积微小，散热能力强，对于微小型且热流密度高的电子器件具有很好的散热效果，顺应现代电子系统高性能、微型化、集成化的发展方向。