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公开(公告)号：CN110113035B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201910316850.5
申请日：2019-04-19
Applicant: 北京工业大学(CN)
IPC: H03K17/082 , H03K17/687
Abstract: 一种高频功率MOSFET驱动电路属于电力电子领域，适用于高频率下开关电源功率MOSFET驱动,适合于丁类放大器结构。驱动电路，包括驱动信号产生模块与驱动电路模块；驱动信号产生模块包括信号发生模块，MOSFET漏电流保护模块；驱动电路模块包括推挽式驱动电路结构与变压器结构；由驱动信号模块产生两路带死区的高频驱动信号，送至驱动电路模块，利用推挽电路结构来输出电流，通过多级推挽来实现电路驱动大电流的需求；将输出的驱动电流经隔直电容送至变压器结构，通过调节变压器原边电感、次级电感、以及变压器漏感的比值，与MOSFET的寄生栅极电容构成LLC谐振，使输出的驱动电流与驱动电压存在相位差，实现软开关驱动。
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