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公开(公告)号：CN115000191A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210631894.9
申请日：2022-06-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/18
Abstract: 一种新型氧化硅复合钝化层化合物异质结接触硅太阳电池，属于太阳能光伏技术研究领域。通过在硅片的正表面采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积本征氢化非晶硅钝化膜来钝化晶硅表面悬挂键，为避免正表面的氢化非晶硅和其上沉积的三氧化钼薄膜的直接接触，在氢化非晶硅钝化膜正面沉积一层二氧化硅保护层。因为氢化非晶硅直接与三氧化钼接触，其接触界面会生成稀疏状的二氧化硅薄膜，会导致三氧化钼失效，同时氢化非晶硅钝化效果也会降低，所以是为了保护三氧化钼作为空穴传输层的作用和氢化非晶硅作为钝化的作用，以及进一步提高钝化效果。为进一步提高硅太阳电池的效率和稳定性提供了保障。
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