公开(公告)号：CN118756341A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410747934.5

申请日：2024-06-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯玉霞 ,  梅文康 ,  张晨 ,  杨宇飞 ,  张国举 ,  章勋 ,  马腾旋

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种基于高定向石墨烯缓冲层实现单晶氮化物生长和可控剥离的方法，属于半导体技术领域；本发明直接在外延衬底上生长高定向石墨烯，以退火预处理过程促进氮化物在石墨烯表面的共价键结合，进而延续石墨烯的面内取向一致性，生长单晶氮化物外延层。并通过调节石墨烯的生长厚度和退火预处理工艺调控氮化物外延层和外延衬底间的结合力，实现氮化物外延层的可控剥离。本发明以外延传递晶格取向的方式保证了氮化物的高晶体质量，且石墨烯厚度和质量稳定可靠，与半导体工艺兼容，适合大规模制备高质量自支撑氮化物薄膜。

公开(公告)号：CN119584560A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411626214.X

申请日：2024-11-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯玉霞 ,  杨宇飞 ,  梅文康 ,  马腾旋 ,  章勋 ,  张国举 ,  张晨

IPC: H10D8/01 ,  H10D64/01 ,  H10D64/62 ,  H10D8/50

Abstract: 本发明公开了一种SiC/GaN复合器件形成SiC欧姆电极并修复GaN的方法，通过在SiC欧姆退火过程中通入氮气和氨气，并控制气体流量、温度、气压和时间，在SiC表面形成良好欧姆接触的同时，修复因高温退火导致的GaN表面氮空位损伤。这种损伤会导致后续制备GaN欧姆/肖特基接触时存在较大势垒，无法形成良好的欧姆/肖特基接触，影响器件特性。通过氨气氮气混合退火后制备的SiC欧姆接触特性良好，同时修复后的GaN表面势垒大幅降低，GaN表面金属电极接触特性良好。这种退火方法解决了SiC/GaN复合器件的工艺不兼容问题，并具有设备要求低、工艺简单的优点。