公开(公告)号：CN119989577A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510205540.1

申请日：2025-02-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  王毅华 ,  张万荣 ,  那伟聪 ,  王宇轩 ,  王楷尧 ,  关宝璐

IPC: G06F30/17 ,  G06F30/27 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/084 ,  G06N3/126

Abstract: 本发明公开了一种VCSEL阵列氧化孔径智能优化设计方法，用以改善VCSEL阵列温度分布均匀性，从而提高激光器整体性能。本发明首先通过训练BP神经网络模型替代热电反馈模型，建立了氧化孔径与稳态结温之间的映射关系，然后直接选取VCSEL阵列各单元的氧化孔径进行染色体的编码，构建了表征VCSEL阵列温度均匀性的适应度函数来提供优化标准，最后采用遗传算法来实现任意形状和单元个数的VCSEL阵列氧化孔径最优优化设计。本发明有效缩短了寻求VCSEL阵列最优氧化孔径设计中的人力成本和时间成本。最后，以具有61个单元的六边形VCSEL阵列为例进行了氧化孔径优化设计，并证明了本发明方法的有效性和实用性。