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公开(公告)号:CN106125811A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201610425611.X
申请日:2016-06-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 一种超低温漂高电源抑制比带隙基准电压源,涉及模拟集成电路设计领域。本发明主要针对现有基准源温漂和电源抑制比问题,提出了综合解决办法。其包括独立电流源电路、偏置电路、带隙核心电路和PSRR增强支路;独立电流源电路用于产生与电源电压基本无关的电流供电,偏置电路产生用于带隙核心电路中运放的偏置电压,带隙核心电路利用温度补偿得到基准电压,电源抑制比增强支路提供带隙核心电路的栅极偏置电压提高电源抑制比。本发明得到的有益效果是:大大降低了带隙基准的温度系数,提高了电源抑制比。适用于射频识别电源管理模块。
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公开(公告)号:CN106849711A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710146498.6
申请日:2017-03-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H02M7/25
CPC classification number: H02M7/25
Abstract: 本发明公开了一种适用于人体植入式无源UHF芯片的双输出整流电路,涉及射频集成电路设计领域。本发明针对传统Dicson电荷泵整流率问题以及两路稳定输出电压方面,提出了解决办法。其中包括倍压整流电路、高压泄流电路和低压稳压电路;倍压整流电路利用二极管连接形式的PMOS管代替传统电荷泵中二极管产生两路电压,高压泄流电路用来保护电路防止电压过高损坏后续电路,低压稳压电路用来产生稳定的低压输出。本发明可以与标准CMOS工艺相兼容,并可以避免衬底偏置效应对输出电压的影响,提高了整流电路的整流效率,还能够产生两路输出电压,一路可以为芯片的LDO产生芯片所需的稳定电源电压,另一路可以为无源UHF芯片的输出电路提供稳定的高压。
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公开(公告)号:CN106125811B
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:CN201610425611.X
申请日:2016-06-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种超低温漂高电源抑制比带隙基准电压源,涉及模拟集成电路设计领域。本发明主要针对现有基准源温漂和电源抑制比问题,提出了综合解决办法。其包括独立电流源电路、偏置电路、带隙核心电路和PSRR增强支路;独立电流源电路用于产生与电源电压基本无关的电流供电,偏置电路产生用于带隙核心电路中运放的偏置电压,带隙核心电路利用温度补偿得到基准电压,电源抑制比增强支路提供带隙核心电路的栅极偏置电压提高电源抑制比。本发明得到的有益效果是:大大降低了带隙基准的温度系数,提高了电源抑制比。适用于射频识别电源管理模块。
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