公开(公告)号：CN104977968A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410147047.0

申请日：2014-04-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯立刚 ,  武威 ,  万培元 ,  林平分

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种高阶温度补偿的带隙基准电路，属于电子电路技术领域。具体包括一阶带隙基准电路，高阶温度补偿电路，以及零温度系数电流产生电路。本发明基于传统一阶温度补偿的带隙基准电路，利用工作在亚阈值区的MOS管电压-电流特性，产生与温度呈指数关系的高阶项，叠加于一阶带隙基准电压上，进而得到具有高阶温度补偿的带隙基准电压，比传统带隙基准具有更低的温度系数。该电路可以应用于振荡器、数据转换器等各种模拟集成电路中。

公开(公告)号：CN104977968B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410147047.0

申请日：2014-04-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯立刚 ,  武威 ,  万培元 ,  林平分

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种高阶温度补偿的带隙基准电路，属于电子电路技术领域。具体包括一阶带隙基准电路，高阶温度补偿电路，以及零温度系数电流产生电路。本发明基于传统一阶温度补偿的带隙基准电路，利用工作在亚阈值区的MOS管电压-电流特性，产生与温度呈指数关系的高阶项，叠加于一阶带隙基准电压上，进而得到具有高阶温度补偿的带隙基准电压，比传统带隙基准具有更低的温度系数。该电路可以应用于振荡器、数据转换器等各种模拟集成电路中。